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<p>본 발명은 반도체 소자의 스토리지 노드 콘택 형성 방법에 관한 것으로, 스토리지 노드의 원형 콘택 대신에 라인 콘택을 사용하여 Y축으로 어라인(align)이 맞지 않는 것을 방지함으로써 높은 저항값이 나오는 문제점을 해결할 수 있고 또한 콘택의 공정 마진을 향상시킬 수 있다. 따라서, 고집적 소자의 제조 수율을 높이고 제조 원가를 절감하는 효과를 가져올 수 있다. 이를 위하여, 본 발명의 스토리지 노드 콘택 형성 방법은, 적어도, 실리콘 기판(1) 상에 제 1 폴리 실리콘(2), 제 1 텅스텐 실리사이드(3), 제 1 마스크 니트라이드(4), 제 1 스페이서 질화막(5), LPP(6)를 형성시키는 제 1 단계와, 상기 전체 구조 상부에 제 1 층간 절연막(7), 제 2 폴리실리콘(8), 제 2 텅스텐 실리사이드(9), 제 2 마스크 니트라이드(10), 제 2 스페이서 질화막(11)을 형성시킨 다음 제 2 층간 절연막(12), 스토리지 노드 라인 콘택 마스크를 이용하여 감광막(13)을 형성시키는 제 2 단계와, 상기 전체 구조 상부에 건식 식각한후 제 3 폴리실리콘(14)을 도포시키는 제 3 단계와, 상기 전체 구조 상부에 CMP를 실시하여 비트 라인 옆에 스토리지 노드 콘택을 형성시키는 제 4 단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.</p> |
