| 发明名称 | 半导体薄膜光电极的制备方法及其应用 | ||
| 摘要 | 半导体薄膜光电极的制备方法及其应用，属于化学反应工程领域中的光电催化技术范畴。其特征在于是一种以板状、条状、网状导电材料为基质，半导体材料为附着薄膜，通过固定化技术来制备半导体薄膜光电极的方法。该半导体薄膜光电极放置于反应装置中，应用于化工光合成和有害物的光降解。该光电极具有较大的比表面积和良好的流—固传质特性，施以适当的偏压，可显著提高其上多相光催化反应的光效率。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1081389C | 申请公布日期 | 2002.03.20 |
| 申请号 | CN99111723.9 | 申请日期 | 1999.07.27 |
| 申请人 | 太原理工大学 | 发明人 | 孙彦平;樊彩梅 |
| 分类号 | H01L21/28;C02F1/30;B01J19/12 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人 | 庞建英 |
| 主权项 | 1.半导体薄膜光电极的制备方法，其特征在于：是一种以板状、条状、网状具有较大比表面的导电材料为基质，半导体材料为附着薄膜，通过固定化方法将半导体材料附着于以上的基质上，制备成半导体薄膜光电极的方法。 | ||
| 地址 | 030024山西省太原市迎泽西大街11号 | ||