| 发明名称 |
PROCESS TO FABRICATE A NOVEL SOURCE-DRAIN EXTENSION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG87089(A1) |
申请公布日期 |
2002.03.19 |
| 申请号 |
SG20000001286 |
申请日期 |
2000.03.09 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
ANG TING CHEONG;QUEK SHYUE FONG;SONG JUN;XING YU |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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