| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 반도체 소자의 금속배선 형성방법은, 하부패턴들이 형성된 반도체 기판 상에 금속배선용 비아홀과 라인 형태의 스페이싱 패턴을 갖는 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 금속배선용 비아홀 및 스페이싱 패턴의 벽멱과 상기 층간절연막 상에 제1베리어막을 증착하는 단계; 상기 금속배선용 비아홀이 매립되도록, 상기 제1베리어막 상에 화학기상증착 방식으로 구리막을 증착하는 단계; 상기 구리막 상에 제2베리어막을 증착하는 단계; 상기 스페이싱 패턴이 매립되도록, 상기 제2베리어막 상에 물리적기상증착 방식으로 알루미늄막을 증착하는 단계; 및 상기 층간절연막을 연마정지층으로하여, 화학적기계연마 공정으로 상기 알루미늄막과 제2베리어막, 구리막 및 제1베리어막을 연마하는 단계를 포함하여 이루어진다.</p> |
