| 摘要 |
<p>본 발명은 안티-퓨즈를 이용한 반도체 메모리 장치의 리던던시 회로에 관한 것으로, 치환될 데이타를 저장하기 위한 적어도 1개 이상의 안티 셀들과, 상기 치환될 데이타를 임시 저장하는 적어도 1개 이상의 임시 안티 셀들과, 패키지 상태의 칩에서 결함 셀이 발생하여 리던던시 셀로의 치환이 필요할 때 프로그래밍하는 로오 어드레스 및 컬럼 어드레스에 해당하는 안티-퓨즈와 안티-인에이블 퓨즈로 각각 이루어져 결함 셀의 주소를 기억하는 적어도 1개 이상의 로오 및 컬럼 안티-퓨즈 수단과, 상기 로오 및 컬럼 안티-퓨즈 수단의 안티퓨즈를 로오 및 컬럼 어드레스에 의해 각각 프로그래밍시키도록 제어하는 적어도 1개 이상의 안티퓨즈 프로그래밍 제어수단과, 상기 안티퓨즈 프로그래밍 제어수단이 활성화되어 있을 때 상기 로오 및 컬럼 안티-퓨즈 수단으로 퓨즈 프로그래밍을 위한 기전전압을 공급하는 안티-퓨즈용 기저전위 발생수단과, 상기 로오 및 컬럼 안티-퓨즈 수단의 프로그램된 출력과 외부 입력 어드레스를 각각 비교하는 적어도 1개 이상의 로오 및 컬럼 비교 수단과, 상기 로오 및 컬럼 비교 수단에서 각각 비교된 출력신호에 의해 리드 시에는 상기 안티 셀의 데이타를 외부로 보내고 라이트 시에는 외부의 데이타를 상기 임시 안티 셀에 임시 저장하도록 제어하는 적어도 1개 이상의 안티 제어수단과, 상기 안티 제어수단과 로오 비교수단의 출력신호에 의해 상기 임시 안티 셀에 임시저장 되어있는 외부 데이타중 퓨즈 프로그래밍된 주소와 일치하는 데이타를 리스토어시의 로오 어드레스에 의해 상기 안티 셀로 옮기도록 제어하는 적어도 1개 이상의 리스토어 제어수단과, 상기 안티 제어수단 및 리스토어 제어수단의 레지스터 및 채널의 번지를 리드 및 라이트 동작시 기억된 프리페치 및 리스토어 시의 레지스터 및 채널 번지와 일치시키는 적어도 1개 이상의 채널 선택 메모리들을 포함하여 구성함으로써, 패키지 제작 이후에 발생하기 쉬운 1비트 또는 그 이상의 비트 결함을 안티-퓨즈로 리페어시킬 수 있어 수율을 향상시키고 제조 비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.</p> |
