发明名称 / 2 Two-step hybrid surface treatment and modification for the formation of high quality ohmic contacts of optoelectronic &electronic devices
摘要 <p>본 발명은 각종 광전자 소자 및 전자 소자를 제작하는데 있어서, 개선된 오믹 접촉(Ohmic Contact)을 형성하기 위한 2단계 하이브리드 표면개질법(TSHTM; Two-Step Hybrid Surface Treatment & Modification)에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 메사 에칭 후 및 금속 박막 형성 직전에 각각 화학 용액 또는 기체 플라즈마에 의한 표면개질을 수행함으로써, 전기적, 열적, 구조적 특성이 우수한 오믹 접촉을 형성할 수 있다.</p>
申请公布号 KR100329280(B1) 申请公布日期 2002.03.18
申请号 KR19990017111 申请日期 1999.05.13
申请人 null, null 发明人 장자순;성태연;박성주
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项
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