发明名称 Semiconductor device having DRAM &SRAM and Data transferring Method
摘要 <p>디램 에스램 복합 반도체 장치 및 이를 이용한 데이터 전송 방법이 제공된다. 본 발명의 디램 에스램 복합 반도체 장치는 주 메모리로서 디램을 포함하고, 캐시 메모리로서 에스램을 포함한다. 본 발명에서의 디램의 독출 동작 및 에스램의 기입 동작이 디램 독출 제어 신호에 의하여 동시에 제어된다. 그리고 디램의 기입 동작 및 에스램의 독출 동작이 디램 기입 제어 신호에 의하여 동시에 제어된다. 본 발명에 디램 및 에스램 복합 반도체 장치에 의하면, 디램 기입 명령과 디램 독출 명령을 연속적으로 줄 수 있다. 따라서 디램과 에스램의 데이터 교환 속도가 현저히 개선된다. 그리고 디램의 독출 동작이 완료된 후에 에스램의 기입 동작이 시작도며, 또한 에스램의 독출 동작이 완료된 후에 디램의 기입 동작이 시작되므로 무효한 데이터로 인한 전류의 소모가 없다. 또한, 디램쪽의 명령으로 에스램을 제어함으로 그 제어가 용이하게 될 수 있다.</p>
申请公布号 KR100322534(B1) 申请公布日期 2002.03.18
申请号 KR19990022920 申请日期 1999.06.18
申请人 null, null 发明人 노미정;이정석
分类号 G11C11/407;G06F12/08 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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