| 摘要 |
<p>본 발명은, MML반도체소자의 게이트전극 형성방법에 관한 것으로서, 특히, 게이트폴리실리콘층을 기존의 디램보다 2배 정도로 전면에 증착한 후에 마스크패턴을 사용하여 폴리실리콘층을 패터닝하는 작업, LDD이온주입, 스페이서막 증착, 소오스 /드레인이온주입 공정등을 거친 후에 게이트전극과 소오스/드레인영역 상에 선택적으로 텡스텐을 증착하여 디램영역과 로직영역의 트랜지스터를 동시에 형성하므로 MML반도체장치의 공정의 최적화를 달성하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다. 또한, 로직부의 고성능 구현 및 디램부의 동작속도를 향상하도록 하는 두가지 측면의 목적을 게이트전극과 소오스/드레인영역의 상에 텡스텐을 증착하여 달성하도록 하는 장점을 지닌 발명에 관한 것이다.</p> |
