| 摘要 |
<p>트랜치 소자분리 공정에서 질화막으로 이루어진 라이너층을 사용하면서도 덴트(Dent)의 발생을 억제할 수 있는 반도체 소자의 트랜치 소자분리 방법 및 이를 이용한 반도체 소자에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 질화막으로 이루어진 라이너층을 형성하기 전에 산화막으로 된 파임방지막을 추가로 형성하거나, 산화막과 질화막의 복합막으로 된 복합 라이너층을 구성하여 질화막으로 된 마스크 패턴을 제거할 때에 라이너층에서 발생하는 덴트(Dent)의 발생을 억제한다. 상기 파임방지용 산화막이 단일막인 경우에는 화학기상증착에 의한 산화막을 증착하여 사용하거나, 실리콘막을 증착한 후 이를 열산화시킨 산화막을 사용한다. 또한, 상기 파임방지막이 복합 라이너층인 경우에는 질화막과 산화막 혹은 산화막과 질화막이 적어도 1회이상 순차적으로 적층된 구조의 복합막을 사용한다.</p> |
