INTERDIGITATED MULTILAYER CAPACITOR STRUCTURE FOR DEEP SUB-MICRON CMOS,申请号KR1020017015680-传众专利搜索

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发明名称	INTERDIGITATED MULTILAYER CAPACITOR STRUCTURE FOR DEEP SUB-MICRON CMOS
摘要
申请公布号	KR20020020906(A)	申请公布日期	2002.03.16
申请号	KR1020017015680	申请日期	2001.12.06
申请人		发明人
分类号	H01L27/04	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
主权项
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