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<p>본 발명은 반도체소자 제조방법을 개시한다. 이에 의하면, LPCVD장치에서 종래와는 달리 고압력을 유지한 상태에서 하나의 동일한 온도에서 커패시터의 하부전극용 다결정실리콘층의 패턴 상의 자연산화막을 암모니아 가스 분위기에서 질화하고 인시튜(in-situ) 상태로 그 위에 질화막을 적층한다. 그리고 나서 질화막 상에 산화막을 적층하여 NO 유전막을 형성 완료하고 산화막 상에 상부전극용 다결정실리콘층의 패턴을 형성한다. 따라서, 본 발명은 NO 유전막의 하층인 전체 질화막을 품질 저하 없이도 형성시간을 단축할 수 있다.</p> |
