| 摘要 |
<p>본 발명은 화학기상증착(CVD) 장비에 관한 것으로, 특히 샤워 헤드부의 온도제어를 용이하게 하여 입자(particle)의 발생을 억제하여 공정성능을 향상시킴과 동시에, 웨이퍼(wafer)상에 가스를 균일하게 공급하도록 한 화학기상증착 장비의 가스분사장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은 가스가 들어오는 가스공급 파이프와 연통되는 가스공급공이 형성된 열전달부재와, 상기 열전달부재의 하면에 설치되어 상기 가스공급 파이프을 통해 들어온 가스의 흐름을 1차적으로 균일하게 배분시켜 주는 분배판과, 상기 분배판의 하면에 설치되어 상기 분배판에서 균일하게 분배된 가스를 웨이퍼상에 최종적으로 균일하게 분사시켜 주는 분사판등으로 이루어지는 샤워 헤드부와, 이 샤워 헤드부의 온도를 제어하는 온도제어시스템으로 구성된다.</p> |
