| 摘要 |
<p>본 발명은, 모스트랜지스터의 게이트전극 형성방법에 관한 것으로서, 모스트랜지스터의 셀영역과 페리영역에 게이트전극을 형성한 후, 페리영역의 게이트전극에 스크린산화막(Screen Oxide)을 형성하는 데 있어, 저온 습식 옥시데이션으로 스크린산화막을 효율적으로 증착하여 이온의 임플랜테이션에 의한 채널링 (Channelling)을 방지하도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다. 이 때, 스크린산화막을 형성하는 데 있어, 종래의 고온 드라이 옥시데이션 (Dry Oxidation)보다 저온 습식 옥시데이션(Wet Oxidation)이 공정 시간이 적게 걸리므로 생산단가를 저감하는 데 유리한 장점을 지닌다.</p> |
