| 发明名称 |
Monolithisch integrierbare Induktivität |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierbare Induktivität aus einer Schichtenfolge von leitfähigen Schichten (P1 bis P4) und isolierenden Schichten (I1 bis I3), die einander abwechselnd übereinander gestapelt sind, wobei die leitfähigen Schichten (P1 bis P4) so gestaltet sind, daß sie eine spulenförmige Struktur um einen Mittenbereich (M) bilden, in welchem GMR-Materialien (WM, TB, HM) vorgesehen werden können.
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| 申请公布号 |
DE10040811(A1) |
申请公布日期 |
2002.03.14 |
| 申请号 |
DE20001040811 |
申请日期 |
2000.08.21 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BENEDIX, ALEXANDER;KLEHN, BERND;FISCHER, HELMUT;KUHNE, SEBASTIAN;BRAUN, GEORG |
| 分类号 |
G11C11/14;G11C11/15;G11C11/16;H01F17/00;H01F17/02;H01F27/245;H01L21/822;H01L21/8246;H01L27/04;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):H01L27/08;H01L27/22 |
主分类号 |
G11C11/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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