| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 제1금속배선에 접속되는 비아콘택 플러그가 구비되는 하부 산화막 상부에 절연막을 형성하고 상기 비아 콘택플러그에 접속되는 제2금속배선 영역으로 예정된 부분을 노출시키는 절연막 패턴을 형성한 다음, 상기 절연막 패턴 사이를 매립하는 알루미늄을 전체표면상부에 형성하고 상기 알루미늄 상부에 텅스텐을 형성한 다음, 상기 텅스텐을 평탄화식각하고 상기 텅스텐 상부에 제2금속배선 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 텅스텐을 SF플라즈마로 식각하고 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 알루미늄을 Cl+ BCl플라즈마로 식각한 다음, 전체표면상부에 상부산화막을 형성하고 후속공정으로 평탄화식각하는 공정으로 다층 금속배선 형성공정을 용이하게 실시할 수 있도록 하여 반도체소자의 수율, 생산성 및 특성과 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
