| 摘要 |
<p>본 발명은 제 1 배선 및 제 2 배선을 포함하는 다층 배선을 갖는 반도체 장치를 제공한다: 상기 제 2 배선은 그라운드, 플러스전원 및 마이너스전원중 하나에 접속되어 형성되며; 상기 제 2 배선은 상기 제 1 배선에 전기적으로 접속되지 않거나 또는 고임피던스 상태로 상기 제 1 배선에 접속되도록 형성되고; 상기 제 2 배선이 반도체장치의 특성을 검사하기 위한 패드에 제공되는 동안 특성검사 중에 또는 그 후에 상기 제 1 배선 및 상기 제 2 배선이 서로 전기적으로 접속된다.</p> |
