| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 장치의 패드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래 패드는 본딩공정에서의 충격을 완화시킬 수단이 구비되어 있지 않아 본딩공정의 충격에 의해 패드가 이탈되는 현상이 발생할 수 있어 공정의 신뢰성이 저하되며, 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판의 일부에 형성된 엔웰의 상부에 위치하는 제1절연층과; 상기 제1절연층의 상부에 위치하며 강도가 절연층보다 큰 다결정실리콘층과; 상기 다결정실리콘층의 상부에 위치하는 제2절연층 및 제2절연층에 형성된 콘택홀 내에 위치하여 충격을 분산시키는 복수의 제1텅스텐 플러그와; 상기 복수의 제1텅스텐 플러그 및 제2절연층의 상부에 위치하는 제1금속층과; 상기 제1금속층의 상부에 위치하는 제3절연층 및 그 제3절연층에 형성된 콘택홀 내에 위치하여 충격을 분산시키는 복수의 제2텅스텐 플러그와; 상기 제2텅스텐 플러그와 제3절연층의 상부에 위치하는 제2금속층으로 구성되는 패드를 제조하여 패드의 하부에 강도가 큰 다결정실리콘층을 두어 패드의 내구성을 향상시키며, 패드를 구성하는 금속층 사이의 절연층에 텅스텐 플러그를 두어 외부의 충격을 분산시킴으로써, 본딩 공정에서 발생하는 충격에도 패드의 손상 또는 이탈됨을 방지하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킴과 아울러 그 수율을 향상시키는 효과가 있다.</p> |
