发明名称 METHOD FOR BLOCKING A VOLTAGE
摘要 <p>스플릿-게이트 MOS 트랜지스터는 부분적으로 오버랩된 2 개의 분리된 게이트를 포함하여, 드레인-채널 계면 영역 부근의 전기장을 감소시킴으로써, 증가된 게이트-다이오드 항복전압을 갖는다.</p>
申请公布号 KR100328551(B1) 申请公布日期 2002.03.14
申请号 KR19990008607 申请日期 1999.03.15
申请人 null, null 发明人 버쥬몬트앨버트
分类号 H01L29/423 主分类号 H01L29/423
代理机构 代理人
主权项
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