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<p>본 발명은 반도체 소자의 배선형성 방법에 관한 것이며, 본 발명의 반도체 소자 배선 형성방법은 반도체 기판상에 제1절연층, 제1반도체층, 장벽금속층 및 제2 반도체층을 순차 적층 형성하는 공정과, 상기 제2 반도체층 위에 비정질의 제1 텅스텐 실리사이층을 형성하는 공정과, 상기 제1 텅스텐 실리사이드층을 열처리하여 정방정계(tetragonal) 구조의 제2 텅스텐 실리사이드층으로 변환하는 공정과, 상기 제2 텅스텐 실리사이드층위에 배선 형성용 식각 마스크를 형성하는 공정과, 상기 마스크를 이용하여 상기 제2 텅스텐 실리사이드층, 제2 반도체층, 장벽금속층 및 제1 반도체층을 순차 식각하는 공정을 포함한다.</p> |
