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经营范围
发明名称
Bit line sense amplifier
摘要
<p>본 발명은 반도체 메모리장치에서 사용되는 비트라인 센스앰프에 관한 것으로, 특히 양측 비트라인의 프리차지동작을 수행함에 있어서 이들 두 비트라인이 소정의 시간동안 접지단에 연결되도록 제어하여 비트라인 전위를 일정수준 전압강하시키므로써, 고속동작시 비트라인 프리차지전압의 전위상승을 방지하여 '로직하이' 데이타에 대한 동작마진의 확보로 리프레쉬 특성을 대폭 향상시킨 비트라인 센스앰프에 관한 것이다.</p>
申请公布号
KR100328555(B1)
申请公布日期
2002.03.14
申请号
KR19990025382
申请日期
1999.06.29
申请人
null, null
发明人
최병진;황치선;이정훈;구본성
分类号
G11C7/06
主分类号
G11C7/06
代理机构
代理人
主权项
地址
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