| 发明名称 |
Method of manufacturing field effect transistors in integrated semiconductor circuits |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors, der innerhalb einer integrierten Halbleiterschaltung liegt. Wenigstens zwei sich jeweils zwischen einem Sourcebereich (S) und einem Drainbereich (D) erstreckende Gatebereiche (G1, G2) sind in Dickenrichtung eines Substrats (SUB) übereinanderliegend angeordnet, so dass der Platzbedarf der bislang üblichen größeren Feldeffekttransistoren in integrierten Halbleiterschaltungen verringert ist. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1187195(A2) |
申请公布日期 |
2002.03.13 |
| 申请号 |
EP20010121016 |
申请日期 |
2001.08.31 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ANGERMANN, WOLFGANG;BAENISCH, ANDREAS |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L29/41;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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