| 发明名称 | 检测晶片缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 一检测晶片缺陷的方法，它包括下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，该边缘部分没有图案芯片；将该晶片装到一缺陷检测仪中；调整假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；并实施后续工序，按此采用检测的缺陷，观测后续工序中的缺陷，从而可以方便地监测晶片缺陷和加工缺陷之间以及加工缺陷自身之间的有机联系。$#! | ||
| 申请公布号 | CN1080927C | 申请公布日期 | 2002.03.13 |
| 申请号 | CN95107565.9 | 申请日期 | 1995.07.14 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 裵相满 |
| 分类号 | H01L21/06 | 主分类号 | H01L21/06 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一种检测晶片缺陷的方法，其特征在于，它包含下述步骤：在一平整晶片的边缘部分形成用作校准标记的假芯片，所述边缘部分没有图案芯片，所述假芯片是由矩形凸起的或凹陷的光敏膜图案形成的；将所述晶片放到一缺陷检测仪内；调整所述假芯片的边缘部分；观测晶片缺陷，给出缺陷数据；以及实施后续工序。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||