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<p>본 발명은 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 병렬 비트 테스트 방법을 공개한다. 이 장치는 복수개의 메모리 셀들을 구비한 메모리 셀 어레이, 외부로부터 입력되는 어드레스에 응답하여 메모리 셀 어레이내의 메모리 셀들을 억세스하기 위한 어드레스를 발생하는 어드레스 발생회로, 모드 설정시에 외부로부터 인가되는 테스트 모드 설정 명령과 테스트 패턴 데이터를 저장하는 테스트 모드 설정 명령 저장회로, 테스트 모드 설정 명령이 발생되면 테스트 패턴 데이터를 저장하고 리드 명령 수행시에 테스트 패턴 데이터를 출력하는 테스트 패턴 데이터 저장회로, 및 메모리 셀 어레이내의 메모리 셀들로부터 출력되는 리드 데이터와 테스트 패턴 데이터 저장수단으로부터 출력되는 테스트 패턴 데이터의 해당 비트의 데이터를 각각 비교하여 테스트 결과 데이터를 발생하는 비교회로로 구성되어 있다. 따라서, 다양한 테스트 패턴 데이터에 대한 테스트를 수행할 수 있을 뿐만아니라, 메모리 셀들의 불량을 정확하게 검출할 수 있다.</p> |
