发明名称 Method for manufacturing a semiconductor device
摘要 <p>반도체기기를 제조하는 방법은 에칭된 복합막을 기판 위에 형성하는 단계를 포함한다. 이 복합막은 질소원자들을 구비하나, 그것의 표면부분에는 질소원자들을 실질적으로 구비하지 않는다. 이 방법은, 화학증폭된 포토레지스트막을 복합막 위에 형성하는 단계, 그 포토레지스트막을 기설정된 패턴들에 따라 선택적으로 노광하는 단계, 그 포토레지스트막을 현상하여 패턴새겨진 레지스트막을 형성하는 단계, 및 패턴새겨진 레지스트막을 마스크로서 사용하여 복합막을 에칭하는 단계를 더 포함한다. 이 방법에 따르면, 생산량의 나빠짐을 피할 수 있고, 레지스트 노광 중에 발생된 프로톤산의 비활성화 현상이 장시간보관 이후에서조차 또는 재구성이 요구되는 경우에서조차 억업되어진다.</p>
申请公布号 KR100326954(B1) 申请公布日期 2002.03.13
申请号 KR19990014999 申请日期 1999.04.27
申请人 null, null 发明人 이치카와도시히코;오가와히로시
分类号 G03F7/40;G03F7/09;G03F7/11;H01L21/027;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/318;H01L21/3213 主分类号 G03F7/40
代理机构 代理人
主权项
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