| 发明名称 | 具有深衬底接触的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及到一种排列在具有初始掺杂(p+)的半导体衬底(102)的表面(106)处的半导体器件(100),所述器件具有一种电连接(101),它包含至少一个由高电导率材料特别是不同于衬底的材料制作,在所述初始掺杂的衬底(102)与衬底的所述表面(106)之间的柱,特别是金属柱。此器件具有至少一个安排成连接到封装件(300)上的接地插脚(301)的接地连接(E)。此接地连接(E)被安排成用所述电连接(101)连接到所述接地插脚(301),其中初始掺杂的衬底(102)被安排成经由与所述表面(106)相反的衬底反面(124)连接到所述接地插脚(301),从而被安排来建立所述接地连接(E)与所述接地插脚(301)之间的连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1340211A | 申请公布日期 | 2002.03.13 |
| 申请号 | CN00803688.8 | 申请日期 | 2000.02.02 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | T·约翰松;C·尼斯特伦;A·赖丁 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/538 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋;李亚非 |
| 主权项 | 1.一种排列在具有初始掺杂(p+)的半导体衬底(102)的表面(106)处的半导体器件(100)，所述器件具有一种电连接(101)，它包含至少一个由高电导率材料制作，在所述初始掺杂的衬底与衬底的所述表面(106)之间的柱(121)，所述器件具有至少一个安排成连接到封装件(300)上的接地插脚(301)的接地连接(E)，其特征在于，所述至少一个接地连接(E)被安排成用所述电连接(101)连接到所述接地插脚(301)，其中所述衬底(102)被安排成经由与所述表面(106)相反的衬底反面(124)连接到所述接地插脚(301)，从而被安排来建立所述接地连接(E)与所述接地插脚(301)之间的连接。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||