| 摘要 |
<p>반도체 장치는 반도체 기판 상에 형성된 하나 이상의 배선층들 각각에서의 배선, 및 상기 배선의 측단부들 상에 형성되어 플루오르 함유 실리콘 산화물을 포함하는 배선 측벽층들을 포함한다. 배선 측벽층들의 외측면 상에 플루오르 함유 실리콘 산화물이나 하이드록시 실세스퀴옥산을 포함하는 배선간 절연층을 형성할 수 있다. 또한, 배선간 절연층 내부의 배선 측벽층들과의 경계면 부근에서 플루오르가 배선 측벽층들로부터 열확산된 플루오르 열확산 영역들을 형성하는 것도 가능하다.</p> |
