| 发明名称 | 用三元素合金制作半导体器件的基板 | ||
| 摘要 | 一种基板,它包括银/金/微量元素的合金层,其中所述合金形成制品的外层。所述微量元素选自一组硒、锑、铋、镍、钴、铟及其混合物。本发明特别用于形成各种元件的外层,包括引线框架、球栅阵列、座、印刷电路板、簧片开关和连接器。 | ||
| 申请公布号 | CN1339822A | 申请公布日期 | 2002.03.13 |
| 申请号 | CN01124210.8 | 申请日期 | 2001.08.15 |
| 申请人 | 株式会社ACQUTEK半导体技术;权赫元 | 发明人 | 洪淳盛;李志溶;朴炳俊 |
| 分类号 | H01L23/14;H01L23/495;H05K1/03;H05K3/46 | 主分类号 | H01L23/14 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的基板，它包括：制有图样的铜层；厚度为10-300微吋镍层，它被沉积所述制有图样的铜层上；包含金/银/微量元素、厚度为3-160微吋的三元素合金，它沉积在所述镍层上。 | ||
| 地址 | 韩国忠南 | ||