低电阻率栅极导体的半绝缘扩散势垒

摘要

半导体器件,尤其是CMOS工艺这类应用中的MOSFET的一种栅极结构。栅极结构需要在半导体基片上的一个电绝缘层,在其上形成一个多晶硅栅极。该栅极结构还包括栅极导体,它通过具有半绝缘性质的扩散势垒层在电气上和栅极相连接。扩散势垒层的组分和厚度调节到能有效地阻止栅导体和多晶硅栅极之间的扩散和交互混合,但却提供足够的电容耦合及/或电流泄漏以便不明显地增加栅极结构的栅极传播延迟。

主权项

1.一种在半导体基片上形成的半导体器件，该半导体器件包括：在基片上的电绝缘层；在电绝缘层上的栅极；在电极上的半绝缘扩散势垒层，该半绝缘扩散势垒层具有高于10-2欧-厘米的电阻率；和与扩散势垒层接触的导体，以使其与电极有电接触，这使得在给导体加上一个电压时在电极上感生栅极电荷；其中的扩散势垒层具有足够的厚度以有效地阻止导体和电极间的扩散和相互混合。