| 摘要 |
<p>본 발명은 실리콘 박막을 결정화하는데 사용되는 레이저 어닐링 방법에 관한 것으로, 결정화 속도를 증가시키고, 실리콘 그레인이 크게 성장된 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위하여, 실리콘 박막을 완전히 용융시킬 수 있는 에너지 밀도를 가지되, 한 번의 레이저빔 조사로 성장되는 실리콘 그레인 길이의 두배보다 작은 크기의 폭을 가지는 레이저빔을 마련하는 단계와, 상기 레이저빔을 사용하여 실리콘 박막을 1차 조사한 후, 실리콘 그레인을 성장시키는 단계와, 상기 레이저빔 폭의 1/2 이하의 중첩율을 가지도록 실리콘 박막에 대하여 상기 레이저빔을 상대적으로 이동시키는 단계와, 상기 레이저빔을 사용하여 상기 1차 조사로 성장된 실리콘 박막에 2차 조사하여 실리콘 그레인의 크기가 증가되게 성장시키는 단계를 포함하는 레이저 어닐링 방법을 제공하며, 레이저빔의 중첩정도를 작게 하여 레이저빔의 조사횟수를 줄임으로써 결정화 시간을 단축시킬 수 있고, 레이저의 다수회 조사로 인한 표면이 거칠어지는 것을 방지하기 위한 진공조건을 구비하지 않아도 되기 때문에 장비 조건을 용이하게 설정할 수 있고, 상대적으로 적은 레이저빔의 조사횟수로도 더 큰 크기의 실리콘 그레인을 형성할 수 있기 때문에 특성이 좋은 박막트랜지스터를 제작할 수 있다.</p> |
