| 摘要 |
플라즈마 이머션 이온 주입기(10)의 처리챔버(12) 내에 주입되는, 반도체 웨이퍼(W)와 같은 기판의 표면을 가로질러 균일한 주입량을 가능하게 하기 위한 장치 및 방법이 제공된다. 챔버 내에서 발생되는 플라즈마는 원하는 도펀트 이온을 포함한다. 웨이퍼를 처리하기 전에, 플라즈마로부터 추출된 이온 전류는 챔버 내의 다수 개의 위치에서 선량 측정 검전기(42)에 의해 결정된다. 다수 개의 위치는 주입되어야 할 웨이퍼의 표면 위의 여러 위치에 상응한다. 다수 개의 전자석(34, 36, 38, 40)은 챔버(12) 내에서 자기장을 발생시킨다. 웨이퍼의 표면에 수직하고 웨이퍼의 표면 위에 균일한 챔버 내에서의 자기장을 생성하기 위하여 전자석에 대한 크기, 위치, 및 전류의 비율이 선택된다. 선량 측정 검전기는 챔버 내의 다수 개의 위치에서 플라즈마로부터 추출된 이온 전류를 감지하여 이를 나타내는 피드백 신호를 제어장치(50)로 출력한다. 이 제어장치는 피드백 신호에 응답하여 다수 개의 전자석 내의 전류량을 제어하는 전원 장치에 제어 신호를 출력한다. 이 전류는 웨이퍼의 표면 위에 균일한 주입량을 확보하는데 필요한 만큼 변화한다. 바람직한 실시예에 있어서, 다수 개의 전자석은 처리챔버의 외부에 위치하고 처리챔버의 외부를 둘러싸는 다수 개의 환상의 전자석을 포함한다. |
