均厚氧化膜的制作方法

摘要

本发明系提供一种均厚(conformal)氧化膜的制作方法。该方法主要利用多晶矽化学气相沈积的表面反应特性，先于一不规则表面之半导体晶片上沈积一均厚之第一多晶矽层，再将该第一多晶矽层氧化成一均厚之第一氧化矽薄膜，然后重复以上步骤。亦即于之前形成之第一氧化矽薄膜表面再形成一第二多晶矽层，并氧化该第二多晶矽层形成一第二氧化矽薄膜，直到所要的氧化矽薄膜厚度为止。利用本发明方法可以获得一均厚之氧化矽薄膜，以应用于未来微细制程的各种元件结构。

主权项

1.一种形成一均厚氧化膜的方法,包含有下列步骤:提供一半导体基底,其表面具有至少一立体微细结构;沈积一均厚(conformal)第一矽膜于该立体微细结构上;完全氧化该第一矽膜,以于该立体微细构造上形成一均厚第一氧化膜;沈积一均厚第二矽膜于该第一氧化膜上;以及完全氧化该第二矽膜,以于该立体微细构造上形成一均厚第二氧化膜;2.如专利申请范围第1项之方法,其中该立体微细结构系为一鳍状(fin-type)电容下层储存电极。3.如专利申请范围第2项之方法,其中该鳍状电容下层储存电极表面具有一ON(oxide-nithde)层。4.如专利申请范围第1项之方法,其中该第一矽膜系由多晶矽所构成。5.如专利申请范围第1项之方法,其中该第二矽层系由多晶矽所构成。6.如专利申请范围第1项之方法,其中该第一矽膜系由非晶矽所构成。7.如专利申请范围第1项之方法,其中该第二矽层系由非晶矽所构成。8.如专利申请范围第1项之方法,其中氧化该第一矽膜以及该第二矽膜的方法皆是利用一氧气电浆。9.如专利申请范围第1项之方法,其中沈积该第一矽膜以及该第二矽膜的方法皆是利用一低压化学气相沈积法。10.一种形成一ONO介电层中之上氧化膜的方法,该方法包含有下列步骤:氧化一矽表面以形成一下氧化膜(bottom oxide film);沈积一氮化矽层于该下氧化膜上;沈积一均厚(conformal)第一矽膜于该氮化矽层上;完全氧化该第一矽膜,以于该氮化矽层上形成一均厚第一氧化膜;沈积一均厚第二矽膜于该第一氧化膜上;以及完全氧化该第二矽膜,以于该氮化矽层上形成一均厚第二氧化膜;其中该下氧化膜、该氮化矽层以及该第二氧化膜构成该ONO介电层。11.如专利申请范围第10项之方法,其中该ONO介电层系形成于一鳍状电容下层储存电极表面上。12.如专利申请范围第10项之方法,其中该第一矽膜系由多晶矽所构成。13.如专利申请范围第10项之方法,其中该第二矽层系由多晶矽所构成。14.如专利申请范围第10项之方法,其中该第一矽膜系由非晶矽所构成。15.如专利申请范围第10项之方法,其中该第二矽层系由非晶矽所构成。16.如专利申请范围第10项之方法,其中氧化该第一矽膜以及该第二矽膜的方法皆是利用一氧气电浆。17.如专利申请范围第10项之方法,其中沈积该第一矽膜以及该第二矽膜的方法皆是利用一低压化学气相沈积法。图式简单说明:图一为一半导体晶片表面微细结构之剖面放大示意图。图二为本发明半导体晶片表面微细结构之剖面放大示意图。图三至图七为本发明较佳实施例之方法示意图。图八为本发明第二实施例之示意图。图九为本发明第三实施例之示意图。图十为本发明第四实施例之示意图。图十一为本发明第五实施例之示意图。