| 主权项 |
1.一种利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,包括:提供一基底,该基底上形成有多层结构;于多层结构上形成一厚硼矽玻璃层;于该厚硼矽玻璃层上形成一层对该厚硼矽玻璃层具有高蚀刻选择比之一物质层;于该物质层上形成一光阻图案层;以该光阻图案层为遮蔽罩幕,定义该物质层;使用该厚硼矽玻璃层对该物质层具有高蚀刻选择比的一蚀刻剂,将该物质层的图案转移至该厚硼矽玻璃层;以及以该物质层和该厚硼矽玻璃层为遮蔽罩幕,用以对该多层结构进行一物理性蚀刻,以于其中形成一沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,其中该物质层为一复晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,其中该物质层为一非晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,其中该物质层为一氮化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,其中在以该光阻图案层为遮蔽罩幕,定义该物质层后,更包括剥除该光阻层。6.如申请专利范围第1项所述之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,更包括于该物质层和该光阻图案层之间形成一抗反射层。7.一种具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制造方法,包括:提供一基底,该基底上有一待蚀刻材质层,该待蚀刻材质层系大致为沟槽电容器和垂直电晶体;于该待蚀刻材质层上形成一厚硼矽玻璃层;于该厚硼矽玻璃层上形成一层对该厚硼矽玻璃层具有高蚀刻选择比之一物质层;于该物质层上形成一光阻图案层;以该光阻图案层为遮蔽罩幕,定义该物质层;剥除该光阻图案层;使用该厚硼矽玻璃层对该物质层具有高蚀刻选择比的一蚀刻剂,将该物质层的图案转移至该厚硼矽玻璃层;以该物质层和该厚硼矽玻璃层为遮蔽罩幕,用以对该待蚀刻材质层进行一物理性蚀刻,以于其中形成一沟槽;以及于该沟槽中填入一绝缘材质。8.如申请专利范围第7项所述之具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制造方法,其中该物质层为一复晶矽层。9.如申请专利范围第7项所述之具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制造方法,其中该物质层为一非晶矽层。10.如申请专利范围第7项所述之具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制造方法,其中该物质层为一氮化矽层。11.如申请专利范围第7项所述之具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制造方法,更包括于该物质层和该光阻图案层之间形成一抗反射层。图式简单说明:第1A图至第1F图系绘示根据本发明一较佳实施例之制造流程剖面图,其系为一种将本发明之利用叠层硬罩幕进行蚀刻的方法,应用于具有垂直电晶体和沟槽电容器之浅沟槽隔离元件的制程中。 |
