| 主权项 |
1.一种适用于微影制程之光学近接修正的方法,该微影制程系使用一具P偏振光与S偏振光之曝光光源,并使用具有复数个图案之一光罩,其中该P偏振光之穿透系数(Transmission Coefficient)大于该S偏振光,且任选两个图案的图形指向互异,该方法包括:考量该P偏振光之穿透系数与该S偏振光之穿透系数的比値,以及每一该些图案之图形指向与该S偏振光/该P偏振光之偏振方向的夹角,分别使用不同之一光学近接修正模式修正每一该些图案。2.如申请专利范围第1项所述之光学近接修正的方法,其中该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形,其中包括一锤头状修正图形。3.如申请专利范围第1项所述之光学近接修正的方法,其中该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形,其中包括一角块状修正图形。4.如申请专利范围第1项所述之光学近接修正的方法,其中该光学近接修正模式系采用一光学理论模型。5.如申请专利范围第1项所述之光学近接修正的方法,其中该光学近接修正模式系采用一实验调整模型。6.如申请专利范围第1项所述之光学近接修正的方法,其中该些图案之图形指向共分两种,从而分为一第一图案与一第二图案。7.如申请专利范围第6项所述之光学近接修正的方法,其中该第一图案与该第二图案之指向垂直。8.如申请专利范围第6项所述之光学近接修正的方法,其中该第一图案与该第二图案之型式包括平行线状图案。9.如申请专利范围第8项所述之光学近接修正的方法,其中光学近接修正前之该第一图案的间隔/宽度(Pitch/Size)与该第二图案相同。10.如申请专利范围第9项所述之光学近接修正的方法,其中该第一图案与该第二图案之走向垂直;该第一图案之走向靠近该S偏振光之电场偏振方向,且该第二图案之走向靠近该P偏振光之电场偏振方向;以及光学近接修正后之该第二图案的图形间距离大于光学近接修正后之该第一图案的图形间距离。11.一种微影制程,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一光阻层;提供具有一P偏振光与一S偏振光之一曝光光源,其中该P偏振光之穿透系数大于该S偏振光;提供具有复数个图案之一光罩,其中任选两个图案之图形指向互异,且每一该些图案皆已分别经过不同之一光学近接修正模式的修正,其中系考量该P偏振光与该S偏振光之穿透系数的比値,以及每一该些图案之图形指向与该p偏振光/该S偏振光之偏振方向的夹角;以及使用该曝光光源及该光罩对该基底进行曝光,再进行一显影步骤以得复数个光阻图案。12.如申请专利范围第11项所述之微影制程,其中该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形,其中包括一锤头状修正图形。13.如申请专利范围第11项所述之微影制程,其中该光学近接修正模式中采用了复数个修正图形,其中包括一角块状修正图形。14.如申请专利范围第11项所述之微影制程,其中该光学近接修正模式系采用光学理论模型。15.如申请专利范围第11项所述之微影制程,其中该光学近接修正模式系采用实验调整模型。16.如申请专利范围第11项所述之微影制程,其中该些图案之图形指向共分两种,从而分为一第一图案与一第二图案。17.如申请专利范围第16项所述之微影制程,其中该第一图案与该第二图案之指向垂直。18.如申请专利范围第16项所述之微影制程,其中该第一图案与该第二图案之型式包括平行线状图案。19.如申请专利范围第18项所述之微影制程,其中该些光阻图案系区分为对应该第一图案之一第一光阻图案,以及对应该第二图案之一第二光阻图案,且该微影制程之预定目标为使该第一光阻图案与该第二光阻图案具有相同的间隔/宽度(Pitch/Size)。20.如申请专利范围第19项所述之微影制程,其中该第一图案与该第二图案之走向垂直;该第一图案之走向靠近该S偏振光之电场偏振方向,且该第二图案之走向靠近该P偏振光之电场偏振方向;以及该第二图案的图形间距离大于该第一图案的图形间距离。图式简单说明:第1图系绘示P/S偏振光之电场偏振方向,以及习知技艺中末修正之光罩上的Y走向图案与X走向图案;第2A/2B图系绘示习知技艺中,P/S偏振光穿过Y/X走向图案而在光阻层中造成的强度轮廓与总强度轮廓,以及对应之光阻图形间距离;第3图系绘示P/S偏振光之电场偏振方向,以及本发明较佳实施例中修正后之Y走向图案与X走向图案;以及第4A/4B图系绘示本发明较佳实施例中,P/S偏振光穿过修正后之Y/X走向图案而在光阻层中造成的强度轮廓与总强度轮廓,以及对应之图形间距离或图形宽度。 |
