| 主权项 |
1.一种发展一统计的装置模型之方法,用在大量生产具有多种原始装置模型类型之积体电路的生产程序,此方法包含以下步骤:(a)提供生产程序的一组最差状况装置模型档案;和(b)从那些最差状况档案推导出统计装置模型。2.如申请专利范围第1项之方法,其中最差状况档案包含每一原始装置模型类型的名义和模型参数的最差状况资料,其中那些最差状况档案对应于每一原始装置模型类型的主要电的韵律之最差状况资料。3.如申请专利范围第2项之方法,其中主要电的韵律包含一临限电压韵律和一饱和区域电流韵律。4.如申请专利范围第2项之方法,其中步骤(b)包含以下步骤:(1)形成一矩阵,具有每一最差状况点的列和每一模型参数的栏;(2)标准化矩阵的每一栏,以具有一零的平均数和有一1的变异数;和(3)对矩阵执行主要元件分析,以摘录-对解释矩阵的栏中所叙述百分比的变异数是必需的-矩阵之主要元件。5.如申请专利范围第4项之方法,其中步骤(b)包含进一步步骤:(4)藉由一调整因数调整主要元件的标准误差。6.如申请专利范围第5项之方法,其中:调整因数介于0和1之间;一特定的调整因数对应于一特别程度的防护带;和调整因数根据要建立到统计装置模型之中的防护带之程度选择。7.如申请专利范围第1项之方法,其中多种原始装置类型包含N型金属氧化物半导体(nmos)和P型金属氧化物半导体(pmos)短-宽和长-宽大小的互补型金属氧化物半导体(CMOS)原始装置结构。8.如申请专利范围第1项之方法,包含进一步的步骤:(c)使用统计装置模型来决定要以制造程序生产的特定积体电路设计之量的生产额。9.如申请专利范围第8项之方法,其中步骤(a)-(c)在制造程序施行之前执行。10.如申请专利范围第8项之方法,其中步骤(c)包含步骤:(1)使用统计装置模型,来决定积体电路设计的多种执行韵律的标准误差和相关性;和(2)藉由使用多种执行韵律的标准误差和相关性,来决定所生产的积体电路预期将满足所有执行韵律之百分比,以决定副韵律生产额。11.如申请专利范围第10项之方法,其中:积体电路设计包含由一或更多原始装置模型类型所建构的多个电路层次元件,这些多个电路层次元件包含一运算放大器和一压控振荡器;和多个执行韵律包含,运算放大器的歪斜率、低频增益、增益-频宽、与相位边界,和压控振荡器在高、和低控制电压的振荡频率。12.一种电脑系统,为用在大量生产具有多种原始装置模型类型之积体电路的生产程序,发展一统计的装置模型,此电脑系统包含:(a)一输入,用以接收生产程序的一组最差状况装置模型档案;和(b)一处理器,从那些最差状况档案推导出统计装置模型。13.如申请专利范围第12项之电脑系统,其中最差状况档案包含每一原始装置模型类型的名义和模型参数的最差状况资料,其中那些最差状况档案对应于每一原始装置模型类型的主要电的韵律之最差状况资料。14.如申请专利范围第13项之电脑系统,其中主要电的韵律包含一临限电压韵律和一饱和区域电流韵律。15.如申请专利范围第13项之电脑系统,其中处理器:(1)形成一矩阵,具有每一最差状况点的列和每一模型参数的栏;(2)标准化矩阵的每一栏,以具有一零的平均数和有一1的变异数;和(3)对矩阵执行主要元件分析,以摘录-对解释矩阵的栏中所叙述百分比的变异数定必需的-矩阵之主要元件。16.如申请专利范围第15项之电脑系统,其中处理器也藉由一调整因数调整主要元件的标准误差。17.如申请专利范围第16项之电脑系统,其中:调整因数介于0和1之间;一特定的调整因数对应于一特别程度的防护带;和调整因数根据要建立到统计装置模型之中的防护带之程度选择。18.如申请专利范围第12项之电脑系统,其中多种原始装置类型包含N型金属氧化物半导体(nmos)和P型金属氧化物半导体(pmos)短-宽和长-宽大小的互补型金属氧化物半导体(CMOS)原始装置结构。19.如申请专利范围第12项之电脑系统,其中处理器应用统计装置模型来决定要以制造程序生产的特定积体电路设计之量的生产额。20.如申请专利范围第19项之电脑系统,其中处理器应用统计装置模型来决定量的生产额,系透过:(1)使用统计装置模型,来决定积体电路设计的多种执行韵律的标准误差和相关性;和(2)藉由使用多种执行韵律的标准误差和相关性,来决定所生产的积体电路预期将满足所有执行韵律之百分比,以决定副韵律生产额,其中:积体电路设计包含由一或更多原始装置模型类型所建构的多个电路层次元件,这些多个电路层次元件包含一运算放大器和一压控振荡器;和多个执行韵律包含,运算放大器的歪斜率、低频增益、增益-频宽、与相位边界,和压控振荡器在高、和低控制电压的振荡频率。21.一种以一制造程序大量生产一积体电路的方法,此积体电路具有多种原始装置模型类型,此方法包含以下步骤:(a)提供生产程序的一组最差状况装置模型档案;(b)从那些最差状况档案推导出制造程序的统计装置模型;和(c)使用统计装置模型来决定要以制造程序生产的积体电路之量的生产额。22.如申请专利范围第21项之方法,其中最差状况档案包含每一原始装置模型类型的名义和模型参数的最差状况资料,其中那些最差状况档案对应于每一原始装置模型类型的主要电的韵律之最差状况资料。23.如申请专利范围第22项之方法,其中主要电的韵律包含一临限电压韵律和一饱和区域电流韵律。24.如申请专利范围第22项之方法,其中步骤(b)包含步骤:(1)形成一矩阵,具有每一最差状况点的列和每一模型参数的栏;(2)标准化矩阵的每一栏,以具有一零的平均数和有一1的变异数;和(3)对矩阵执行主要元件分析,以摘录-对解释矩阵的栏中所叙述百分比的变异数是必需的-矩阵之主要元件。25.如申请专利范围第24项之方法,其中步骤(b)包含进一步步骤:(4)藉由一调整因数调整主要元件的标准误差。26.如申请专利范围第25项之方法,其中:调整因数介于0和1之间;一特定的调整因数对应于一特别程度的防护带;和调整因数根据要建立到统计装置模型之中的防护带之程度选择。27.如申请专利范围第21项之方法,其中多种原始装置类型包含N型金属氧化物半导体(nmos)和P型金属氧化物半导体(pmos)短-宽和长-宽大小的互补型金属氧化物半导体(CMOS)原始装置结构。28.如申请专利范围第21项之方法,其中步骤(c)包含步骤:(1)使用统计装置模型,来决定积体电路的多种执行韵律的标准误差和相关性;和(2)藉由使用多种执行韵律的标准误差和相关性,来决定所生产的积体电路预期将满足所有执行韵律之百分比,以决定副韵律生产额。29.如申请专利范围第28项之方法,其中:积体电路包含由一或更多原始装置模型类型所建构的多个电路层次元件,这些多个电路层次元件包含一运算放大器和一压控振荡器;和多个执行韵律包含,运算放大器的歪斜率、低频增益、增益-频宽、与相位边界,和压控振荡器在高、和低控制电压的振荡频率。30.一种藉由申请专利范围第21项之方法所制造的积体电路。图式简单说明:图1是举例说明依照本发明的一具体实施例,用来从最差状况档案得出一统计装置模型的一种方法之流程图;图2举例说明最差状况多边形的四个样本,以用在依照图1的方法得出本发明的统计装置模型;图3是用在依照图1的方法得出本发明的统计装置模型之最差状况矩阵;图4是依照本发明一具体实施例,在最差状况多角形内部的百分点对因数的例示图400;和图5是用以实施图1的所有或部分方法的电脑系统之一方块图。 |
