| 主权项 |
1.一种记忆胞配置,其特征为,–在基板(S)的第一表面(01)上,配置记忆胞之MOS电晶体以及与此相连接的位元线(B),–在一个与此基板(S)的第一表面(01)相面对的第二表面(02)上配置记忆胞之电容器,–一配置于基板(S)中之接触区(K)将电容器与MOS电晶体相连接。2.一种制造记忆胞配置之方法,其特征为,–在基板(S)的第一表面(01)上产生记忆胞的之MOS电晶体,以及一与此相连接的位元线(B),–将此面对基板(S)第一表面(01)之第二表面(2)去除,–在此第二表面(02)上产生记忆胞之电容器,–在基板(S)中产生一接触区(K),其将电容器与MOS电晶体连接。3.如申请专利范围第2项之方法,其中–需在第一表面(01)中产生接触区(K),使得它在基板(S)中较MOS电晶体与位元线(B)到达更深,–将基板(S)的第二表面(02)去除,一直到接触区(K)裸露为止,–在第二表面(02)上,在接触区(K)中产生电容器。4.如申请专利范围第3项之方法,其中–在接触区(K)裸露之后,将此接触区(K)选择性地对基板(S)蚀刻,因此产生一凹洞(V),–此凹洞(V)以辅助结构(H)填满,因此此辅助结构(H)将接触区(K)覆盖,–将基板(S)选择性地对辅助结构(H)蚀刻,因此辅助结构(H)与接触区(K)的一部份突出,–将经淀积的绝缘材料与辅助结构(H)一起去除,一直到此辅助结构(H)被去除为止。5.如申请专利范围第2至4项中任一项之方法,其中–电容器之电容器电介质(Kd)是由Ta2O5或一种铁电介质产生。6.如申请专利范围第3或4项之方法,其中–在第一表面(01)中产生通孔(L),–为了产生接触区(K)而淀积导电材料并且需回蚀,使得通孔(L)没有完全被填满,–在通孔(L)中接触区(K)上产生一个与接触区(K)以及基板(S)绝缘的MOS电晶体之闸极电极,–产生MOS电晶体作为垂直式MOS电晶体,–产生此埋入于基板(S)中之MOS电晶体之第一源极/汲极区(S/D1)以及相邻之接触区(K)。7.如申请专利范围第5项之方法,其中–在第一表面(01)中产生通孔(L),–为了产生接触区(K)而淀积导电材料并且需回蚀,使得通孔(L)没有完全被填满,–在通孔(L)中接触区(K)上产生一个与接触区(K)以及基板(S)绝缘的MOS电晶体之闸极电极,–产生MOS电晶体作为垂直式MOS电晶体,–产生此埋入于基板(S)中之MOS电晶体之第一源极/汲极区(S/D1)以及相邻之接触区(K)。图式简单说明:第1图显示经由一基板的横截面,此为在产生了一第一层,一第二层,一第三层,一第四层与一分隔结构之后者。第2图显示第1图的横截面,此为在第四层被去除,而第一辅助结构产生之后者。第3图显示一个经由基板而对第二图之横截面垂直之横截面,此为在通孔,隔离区电晶体的上部源极/汲极区,以及接触区产生之后者。第4图显示第3图之横截面,此为在闸极电介质,下部源极/汲极区,字元线,一保护层,间隙壁,一第一绝缘层(未图示),位元线,以及一第二绝缘层产生之后者。第5图显示第4图的横截面,此为在接触区被裸露,并且凹洞与辅助结构产生之后者。第6图显示第5图之横截面,此为在产生第三绝缘层与去除辅助结构之后者。第7图显示第6图之横截面,此为在产生了一电容器电极,一电容器电介质,以及一电容器之电容器板之后者。 |
