| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,且该基底中已形成有一第一导电层;在该基底上形成一第一介电层;图案化该第一介电层以形成一介层窗开口,且该介层窗开口暴露出该第一导电层;在该第一介电层上以热灯丝化学气相沈积法形成一第二介电层,其中该第二介电层并不会填塞该介层窗开口;图案化该第二介电层,以形成一沟渠,其中该沟渠与该介层窗开口共同组成一双重金属镶嵌开口;以及在该双重金属镶嵌开口中填入一第二导电层。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该第二介电层,系于一灯丝温度为摄氏400度至摄氏800度下形成。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该第二介电层,系于压力为0.1托至10托下形成。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该第二介电层,系将该基底之温度控制在摄氏25度至摄氏30度之间。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该第二介电层,系于通入流量为10sccm至30sccm之HFPO下形成。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第二介电层之材质包括氟化碳。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法所形成之该第二介电层具有多孔性质。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第一介电层之材质包括含氟玻璃。9.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第一导电层之材质包括金属铜。10.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第二导电层之材质包括金属铜。11.一种双重金层镶嵌结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,且该基底中已形成有一导电层;在该基底上形成一介电层;图案化该介电层以形成一介层窗开口,且该介层窗开口暴露出该导电层;在该介电层上以热灯丝化学气相沈积法形成一氟化碳层,其中该氟化碳层并不会填塞该介层窗开口;图案化该氟化碳层,以形成一沟渠,其中该沟渠与该介层窗开口共同组成一双重金属镶嵌开口;以及在该双重金属镶嵌开口中填入一金属铜层。12.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该氟化碳层,系于一灯丝温度为摄氏400度至摄氏800度下形成。13.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该氟化碳层,系于压力为0.1托至10托下形成。14.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该氟化碳层,系将该基底之温度控制在摄氏25度至摄氏30度。15.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法形成该氟化碳层,系于通入流量为10sccm至30sccm之HFPO下形成。16.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中以热灯丝化学气相沈积法所形成之该氟化碳层具有多孔性质。17.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该介电层之材质包括含氟玻璃。18.如申请专利范围第11项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该导电层之材质包括金属铜。19.一种双重金属镶嵌结构之制造方法,包括下列步骤:提供一基底,且该基底中形成有一第一导电层;在该基底上形成一第一介电层;图案化该第一介电层以形成一介层窗开口,且该介层窗开口暴露出该第一导电层;在该第一介电层上形成一第二介电层,其中该第二介电层并不会填塞该介层窗开口;图案化该第二介电层,以形成一沟渠,其中该沟渠与该介层窗开口共同组成一双重金属镶嵌开口;以及在该双重金属镶嵌开口中填入一第二导电层。20.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中形成该第二介电层之方法包括以热灯丝化学气相沈积法形成。21.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第二介电层之材质包括氟化碳。22.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第一介电层之材质包括含氟玻璃。23.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第一导电层之材质包括金属铜。24.如申请专利范围第19项所述之双重金属镶嵌结构之制造方法,其中该第二导电层之材质包括金属铜。图式简单说明:第1A图至第1F图所示,为依照本发明一较佳实施例之双重金属镶嵌结构之制造流程剖面图。 |
