制造包含场效电晶体之半导体装置之方法

摘要

已知矽化制程的缺点为：一方面该制程可能导致源极和汲极区上矽化接点间的短路，另一方面，该多闸极上的矽化接点一般视为桥接。本发明提供避免此短路类型的简单及自行调整之方法。在定义闸极后，执行标有号码的源/汲极植入(9)，同时置放抗蚀光罩(7)就位，选择角度及植入能量，以便撞击到抗蚀光罩的离子以相对于矽表面的小角度散射。藉以获得除闸极之外的小范围(12b，13b)，该范围较源/汲极区的邻近范围(12a，13a)之掺杂程度要大。接着，在较高度掺杂区的顶层长出具有较厚部份(15)的热氧化层，以及在较轻微掺杂区的顶层长出较薄部份(14)。藉由移除较薄的氧化部份(14)，取得间隔区(15)，该区提供作为源/汲极区的矽化接点(22，23)与闸极的矽化接点(24)间之分隔区。本发明提供制造非挥发性记忆体时的特殊优点。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法,包括:一矽半导体主体在表面上具有一含绝缘闸极的场效电晶体,该表面覆盖有闸-电介质层,该层之上淀积一矽层,其上形成定义该闸极的蚀刻光罩,之后,藉由蚀刻从该矽层形成该闸极,接着藉由在半导体主体表面植入离子在该闸极附近形成掺杂区,该区形成该电晶体的源极区和汲极区,之后,在接下来的步骤中,涂覆一金属层,该层与半导体主体中的源极及汲极区以及与该闸极的上表面形成一接点,且其藉由覆盖闸极侧壁的中间电绝缘层与该闸极侧壁分隔开,之后,藉由加热,在金属层接触矽的位置形成金属矽化接点,以及接着藉由选择性蚀刻移除未转换的部份金属层,其特征在于在闸极出现蚀刻光罩以及角度与表面呈垂直时执行离子的植入,以致入射于蚀刻光罩侧壁上的离子向半导体主体表面散射,并在闸极附近的源极和汲极区中形成子区域,该子区域的掺杂程度较离闸极相当远的部份源极及汲极区要高,之后,藉由热氧化,在该源极和汲极区上形成一氧化层,该氧化层在子区域上的厚度要比上述离源极及汲极区远的部份要厚,该步骤之后,接着执行蚀刻步骤,其中该较远的部份源极及汲极区上的氧化层整个被移除,且该子区域上的氧化层仅将部份厚度移除,以致氧化层保持在子区域之上,且在随后步骤中,在该较远部份上所提供的金属层与半导体主体的表面接触,以及在该子区域位置上的金属层,藉由氧化层与该表面分隔开来。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该垂直和植入方向间的角度等于,或至少实质上等于7度。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该蚀刻光罩系由厚度等于,或实质上等于2m的光致抗蚀层所形成。4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该离子系由砷离子所形成。5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于提供该闸极作为具有浮动闸的场效电晶体形式之非挥发性记忆体元件的浮动闸极。6.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于该离子系由砷离子所形成。7.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于提供该闸极作为具有浮动闸的场效电晶体形式之非挥发性记忆体元件的浮动闸极。8.如申请专利范围第4项之方法,其特征在于提供该闸极作为具有浮动闸的场效电晶体形式之非挥发性记忆体元件的浮动闸极。图式简单说明:图1-8显示利用本发明方法所制造的场效电晶体之侧视图,为制造制程的不同阶段。