| 主权项 |
1.一种半导体装置,系包含一种功能元件,该功能元件具有:在半导体基板所形成之第1导电型半导体领域;接合并形成于第1导电型半导体领域,且与第1导电型半导体领域不同之导电型第2导电型半导体领域;而且在该第1导电型半导体领域中用以连接电极之接触领域的边缘部形成二极体。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述之二极体系PN二极体,系由第1导电型半导体领域;以及以与上述接触领域的边缘接触状态埋设于第1导电型半导体领域,而与第1导电型半导体领域不同导电型之第2导电型半导体领域所构成。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述接触领域形成有使上述第2导电型半导体领域接触于接触领域之边缘而配置之通用接触构造。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,在上述接触领域内,形成有与第1导电型半导体领域相同导电型,而此第1导电型半导体领域不纯物浓度较高之高浓度不纯物领域接触于上述电极;上述二极体系在连接于上述接触领域之电极和第1导电型半导体领域之间,形成肖脱基接合而构成之肖脱基二极体。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述二极体系形成于第1导电型半导体领域的表面附近。6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述接触领域系在第1导电型半导体领域的表面上,系以包围第2导电型半导体领域之约C字状或环状形成者。7.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述二极体系在上述接触领域的边缘部至少于靠近上述第2导电型半导体领域之领域延伸存在者。8.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述二极体系沿着上述接触领域边缘部全周延伸存在者。9.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述第1导电型半导体领域上,设定有将引线接合于上述电位之接合领域,而上述二极体系形成在上述接触领域的边缘部中至少上述接合领域的附近部分。10.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体装置,其中,上述功能元件系将上述第1导电型半导体领域作为基极领域,将上述第2导电型半导体领域作为射极领域之双极性电晶体。图式简单说明:第1图为本发明实施型态之双极性电晶体的构造剖视图。第2图为具有上述双极性电晶体之半导体装置的表面构造上视图。第3图(A)及第3图(B)为本实施型态之双极性电晶体及习知之双极性电晶体的静电破坏检查结果显示图。第4图为本发明其他实施型态之双极性电晶体的构造剖视图。第5图为本发明其他实施型态之双极性电晶体的构造剖视图。第6图为说明上述实施型态变形例的上视图。第7图为习知之双极性电晶体的构造剖视图。 |
