| 主权项 |
1.一种制造多种厚度闸极氧化层之方法,包括有步骤:提供一矽基板,具有至少一个一第一及第二闸极氧化层区;形成一第一闸极氧化层覆盖于该矽基板上;该第一闸极氧化层具有一第一预设厚度;形成及平坦化覆盖于该第一闸极氧化层上的一多晶矽的第一层;蚀刻在第二闸极氧化层区内的该多晶矽的第一平坦层及该第一闸极氧化层,以暴露出在该第二闸极氧化层区内的该矽基板,且在该第一闸极氧化层区内留下该多晶矽的第一层;形成一第二闸极氧化层覆盖于在该第二闸极氧化区内的该暴露矽基板上,该第二闸极氧化层具有一第二预设厚度;该第二闸极氧化层预设厚度小于该第一闸极氧化层预设厚度;形成一多晶矽的第二层覆盖于该第二闸极氧化层上;及平坦化该多晶矽的第一层及第二层,以达到一个均匀的厚度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二闸极氧化层系由一各向异性沈积所形成,藉以该第二闸极氧化层只形成在暴露的水平表面上。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一闸极氧化层的第一预设厚度系为从60到90埃之间,及该第二闸极氧化层的第二预设厚度系为从25到60埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一闸极氧化层的第一预设厚度系为从65到80埃之间,及该第二闸极氧化层的第二预设厚度系为从30到50埃之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一闸极氧化层区系为从1500到15,000埃之间宽、且该第二闸极氧化层区系为800到3500埃之间宽。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一闸极氧化层区系为从2500到5000埃之间宽、且该第二闸极氧化层区系为从1000到2500埃之间宽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该多晶矽的第一平坦层系为从1500到3500埃之间厚、该多晶矽的第二层系为约1200到3000埃之间厚、及该多晶矽的第一及第二平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间厚。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该多晶矽的第一平坦层系为从2000到3000埃之间厚、该多晶矽的第二层系为约1800到2800埃之间厚、及该多晶矽的第一及第二平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间厚。9.如申请专利范围第1项所述之方法,包括有步骤:从至少该第一及第二闸极氧化层移除该多晶矽的第一及第二平坦层;形成一第一闸极导体于该第一闸极氧化层上;及形成一第二闸极导体于该第二闸极氧化层上。10.如申请专利范围第1项所述之方法,包括有步骤:从至少该第一及第二闸极氧化层移除该多晶矽的第一及第二平坦层;形成一第一闸极导体于该第一闸极氧化层上;及形成一第二闸极导体于该第二闸极氧化层上;其中该第一闸极导体形成一部份的一第一电晶体,该第一电晶体具有一第一操作电压、及该第二闸极导体形成一部份的一第二电晶体,该第二电晶体具有一第二操作电压,且该第一操作电压系大于该第二操作电压。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽基板具有一第三闸极氧化层区,且包括有步骤:蚀刻在该第三闸极氧化层区内的该均匀厚多晶矽第一及第二平坦层,以暴露出在该第三闸极氧化层区内的矽基板;形成一第三闸极氧化层覆盖在该第三闸极氧化层区内的该暴露矽基板上;该第三闸极氧化层具有一第三预设厚度;该第三闸极氧化层预设厚度系小于该第二闸极氧化层预设厚度;形成一多晶矽的第三层覆盖于该第三闸极氧化层上;及平坦化多晶矽的该第一、第二、第三层,以达到一均匀厚度。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽基板具有一第三闸极氧化层区,且包括有步骤:蚀刻在该第三闸极氧化层区内的该均匀厚多晶矽第一及第二平坦层,以暴露出在该第三闸极氧化层区内的矽基板;形成一第三闸极氧化层覆盖在该第三闸极氧化层区内的该暴露矽基板上;该第三闸极氧化层具有一第三预设厚度;该第三闸极氧化层预设厚度系小于该第二闸极氧化层预设厚度;形成一多晶矽的第三层覆盖于该第三闸极氧化层上;平坦化多晶矽的该第一、第二、第三层,以达到一均匀厚度;及其中该第一闸极氧化层的该第一预设厚度系为从50到150埃之间、该第二闸极氧化层的该第二预设厚度系为从20到80埃之间、及该第三闸极氧化层的该第三预设厚度系为从10到30埃之间。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该矽基板具有一第三闸极氧化层区,且包括有步骤:蚀刻在该第三闸极氧化层区内的该均匀厚多晶矽第一及第二平坦层,以暴露出在该第三闸极氧化层区内的矽基板;形成一第三闸极氧化层覆盖在该第三闸极氧化层区内的该暴露矽基板上;该第三闸极氧化层具有一第三预设厚度;该第三闸极氧化层预设厚度系小于该第二闸极氧化层预设厚度;形成一多晶矽的第三层覆盖于该第三闸极氧化层上;平坦化多晶矽的该第一、第二、第三层,以达到一均匀厚度;及其中该第一闸极氧化层区系为从1500到15000埃之间宽、该第二闸极氧化层区系为从800到3500埃之间宽、及该第三闸极氧化层区系为从500到2500埃之间宽。14.一种制造闸极氧化层之方法,包括有步骤:提供一矽基板,具有一第一、第二、第三闸极氧化层区;形成一第一闸极氧化层覆盖于该矽基板上;该第一闸极氧化层具有一第一预设厚度;形成及平坦化覆盖于该第一闸极氧化层上的一多晶矽的第一层;蚀刻在第二闸极氧化层区内的该多晶矽的第一平坦层及该第一闸极氧化层,暴露出在该第二闸极氧化层区内的该矽基板;形成一第二闸极氧化层覆盖于在该第二闸极氧化层区内的该暴露矽基板上;该第二闸极氧化层具有一第二预设厚度;该第二闸极氧化层预设厚度小于该第一闸极氧化层预设厚度;形成一多晶矽的第二层覆盖于该第二闸极氧化层上;平坦化该多晶矽的第一及该第二层,以达到一个均匀的厚度;蚀刻在第三闸极氧化层区内的该多晶矽的第二平坦层及第二闸极氧化层,以暴露出在该第三闸极氧化层区内的矽基板;在该第三闸极氧化层区内形成一第三闸极氧化层覆盖于该暴露矽基板上;该第三闸极氧化层区具有一第三预设厚度;该第三闸极氧化层厚度小于该第二闸极氧化层厚度;形成一多晶矽的第三层覆盖于该第三闸极氧化层上;及平坦化多晶矽的该第一、第二、及第三层,以达到一均匀厚度。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一闸极氧化层的第一预设厚度系为从50到150埃之间、该第二闸极氧化层的第二预设厚度系为从20到80埃之间、及该第三闸极氧化层的第三预设厚度系为从10到30埃之间。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第二及第三闸极氧化层系分别由一各向异性沈积所形成,藉以该第二及第三闸极氧化层分别只形成在暴露的水平表面上。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一闸极氧化层的第一预设厚度系为从65到80埃之间、该第二闸极氧化层的第二预设厚度系为从30到50埃之间、及该第三闸极氧化层的第三预设厚度系为从15到25埃之间。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一闸极氧化层区系为从1500到15000埃之间宽、该第二闸极氧化层区系为从800到3500埃之间宽、及该第三闸极氧化层区系为从500到2500埃之间宽。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该第一闸极氧化层区系为从2500到5000埃之间宽、该第二闸极氧化层区系为从1000到2500埃之间宽、及该第三闸极氧化层区系为从800到1500埃之间宽。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该多晶矽的第一平坦层系为从1500到3500埃之间厚、该多晶矽的第二层系为约1200到3000埃之间厚、该多晶矽的第一及第二平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间厚、及该多晶矽的第三层系为约1500到2500埃之间厚,且该多晶矽的第一、第二、及第三平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间厚。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该多晶矽的第一平坦层系为从2000到3000埃之间厚、该多晶矽的第二层系为约1500到2500埃之间厚、该多晶矽的第一及第二平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间、该多晶矽的第三层系为约1500到2500埃之间厚,且多晶矽的该第一、第二、及第三平坦层的均匀厚度系为从1500到2500埃之间厚。22.如申请专利范围第14项所述之方法,包括有步骤:从至少该第一、第二及第三闸极氧化层移除该多晶矽的第一、第二及第三平坦层;形成一第一闸极导体于该第一闸极氧化层上;形成一第二闸极导体于该第二闸极氧化层上; 及形成一第三闸极导体于该第三闸极氧化层上。23.如申请专利范围第14项所述之方法,包括有步骤:从至少该第一、第二及第三闸极氧化层移除多晶矽的该第一、第二及第三平坦层;形成一第一闸极导体于该第一闸极氧化层上;形成一第二闸极导体于该第二闸极氧化层上;形成一第三闸极导体于该第三闸极氧化层上;及其中该第一闸极导体形成一部份的一第一电晶体,该第一电晶体具有一第一操作电压,该第二闸极导体形成一部份的一第二电晶体,该第二电晶体具有一第二操作电压,该第三闸极导体形成一部份的一第三电晶体,该第三电晶体具有一第三操作电压,且该第一操作电压系大于该第二操作电压,且该第二操作电压系大于该第三操作电压。24.一种制造闸极氧化层之方法,包括有步骤:提供一矽基板,具有一第一、第二、第三闸极氧化层区;形成一第一闸极氧化层覆盖在该第一闸极氧化层区内的该矽基板上;该第一闸极氧化层具有一从50到150埃之间的第一预设厚度;形成及平坦化一多晶矽的第一层覆盖于该第一闸极氧化层上;蚀刻在第二闸极氧化层区内的该多晶矽的第一平坦层及该第一闸极氧化层,暴露出在该第二闸极氧化层区内的该矽基板;形成一第二闸极氧化层覆盖于在该第二闸极氧化层区内的该暴露矽基板上,系藉由一各向异性沈积;形成一多晶矽的第二层覆盖于该第二闸极氧化层上;平坦化该多晶矽的第一、及第二层,以达到一均匀厚度;蚀刻在第三闸极氧化层区内的多晶矽的该第二平坦层及第二闸极氧化层,以暴露出在该第三闸极氧化层区内的矽基板;在该第三闸极氧化层区内形成一第三闸极氧化层覆盖于该暴露矽基板上,系藉由一各向异性沈积;形成一多晶矽的第三层覆盖于该第三闸极氧化层上;及平坦化多晶矽的该第一、第二、及第三层,以达到一均匀厚度。图式简单说明:第1图到第4图、及第5图到第6图系说明本发明第一个实施例之横剖面图。第1图到第4图、及第7图到第12图系说明本发明另一个实施例之横剖面图。第13图到第14图系说明本发明第一实施例之选择。第15图到第16图系说明本发明另一实施例之选择。 |
