| 主权项 |
1.一种配线基板,具有:形成开口部之基板,及具有弯曲部之配线图案;在前述基板的一面形成前述配线图案,令其平面地重叠前述开口部与前述弯曲部;在前述弯曲部的内部充填应力吸收材料。2.如申请专利范围第1项之配线基板,其中以不从前述基板的前述他面突出之高度形成前述弯曲部。3.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述弯曲部,从前述基板的前述他面突出而构成突起部。4.如申请专利范围第3项之配线基板,其中在前述基板的前述他面,设置比前述突起部的突起高度还厚的保护构件。5.如申请专利范围第1项之配线基板,其中在前述基板与前述配线图案之间夹隔接着剂。6.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述配线图案的前述弯曲部系由宽度比前述开口部的直径还不经弯曲之配线所形成。7.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述配线图案的前述弯曲部系弯曲比前述开口部还大的接合面部(Land)的一部分而形成。8.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述配线图案其前述弯曲部的先端部,被断开形成。9.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述配线图案其前述弯曲部的先端部,避开基板的表面而成为终端。10.如申请专利范围第1项之配线基板,其中前述开口部为长形孔,在各别的前述开口部内形成复数个前述弯曲部。11.一种配线基板,含有形成有开口部之基板,及具有形成在前述基板的一面,从前述一面突出到前述开口部的上方经弯曲的弯曲部之配线图案。12.如申请专利范围第11项之配线基板,其中在前述基板与前述配线图案之间夹隔接着剂。13.如申请专利范围第11项之配线基板,在以前述配线图案其前述弯曲部的凹面所形成之凹部充填树脂。14.如申请专利范围第11项之配线基板,其中前述配线图案的前述弯曲部系由:宽度比前述开口部的直径还小经弯曲之配线所形成。15.如申请专利范围第11项之配线基板,其中前述配线图案的前述弯曲部系弯曲比前述开口部还大的接合面部的一部分而形成。16.如申请专利范围第11项之配线基板,其中前述配线图案其前述部曲部的先端部,被断开形成。17.如申请专利范围第11项之配线基板,其中前述配线图案其前述弯曲部的先端部,避开前述基板的表面而使其成为终端。18.如申请专利范围第11项之配线基板,其中前述开口部为长形孔,在各别的前述开口部内形成复数个前述弯曲部。19.一种配线基板,具有:形成有开口部之基板,及具有弯曲部之配线图案;在前述基板的一面形成前述配线图案,令其平面地重叠前述开口部与前述弯曲部;在前述弯曲部的凹部侧,设置封合前述开口部之封合材。20.如申请专利范围第19项之配线基板,其中前述封合材系由导电性物质所形成,被充填到前述弯曲部的内部。21.如申请专利范围第19项之配线基板,其中在前述弯曲部的内部充填绝缘性物质;前述封合材系由导电性物质所形成,被设在前述绝缘性树脂上。22.如申请专利范围第19项之配线基板,其中前述弯曲部的内部为中空,而从前述凹部上直到前述配线图案设置封合材。23.一种配线基板,具有:形成有开口部之基板,及具有形成在前述基板的一面,从前述一面突出到前述开口部的上方经弯曲的弯曲部之配线图案;在前述基板的前述开口部及前述弯曲部的内部,充填封合前述开口部之封合材。24.一种连接基板,系为含有在基板形成有配线图案之复数个配线基板;在前述复数个配线基板当中至少一个配线基板的前述配线图案形成弯曲部;连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部。25.如申请专利范围第24项之连接基板,其中形成前述弯曲部的前述配线基板之前述基板形成有开口部;前述弯曲部形成在与前述开口部平面地重叠之位置。26.如申请专利范围第25项之连接基板,其中形成前述弯曲部之前述配线图案,被形成在前述基板的一面;从前述一面突出到前述开口部的上方而形成前述弯曲部。27.如申请专利范围第25项之连接基板,其中形成前述弯曲部之前述配线图案,被形成在前述基板的一面;前述弯曲部,朝向前述基板的他面而形成在前述开口部内。28.如申请专利范围第24项之连接基板,其中利用导电性构件连接前述配线图案与前述弯曲部。29.如申请专利范围第24项之连接基板,其中利用导电性构件连接前述配线图案与前述弯曲部。30.一种连接基板,系为含有在基板形成有配线图案之复数个配线基板;针对前述复数个配线基板当中至少一个配线基板,在前述基板形成开口部,在前述配线图案形成弯曲部,令其平面地重叠前述开口部与前述弯曲部;在前述基板的一面形成前述配线图案,在前述弯曲部的凹部侧设置导电性物质;连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部。31.如申请专利范围第30项之连接基板,其中前述导电性物质被充填到前述弯曲部的内部。32.如申请专利范围第30项之连接基板,其中在前述弯曲部的内部充填绝缘性树脂;从前述绝缘性树脂上直到前述配线图案设置前述导电性物质。33.如申请专利范围第30项之连接基板,其中前述弯曲部的内部为中空,从前述凹部上直到前述配线图案设置置前述导电性物质。34.一种连接基板,含有在基板形成有配线图案之复数个配线基板;针对前述复数个配线基板当中至少一个配线基板,在前述基板形成开口部;前述配线图案具有被形成在前述基板的一面,并且从前述一面突出到前述开口部的上方经弯曲之弯曲部;在前述基板的前述开口部及前述弯曲部的内部,充填导电性物质;连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部。35.一种半导体装置,含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片。36.如申请专利范围第35项之半导体装置,其中前述半导体晶片,介由导电粒子分散在接着剂之异方性导电材料接合到前述基板。37.如申请专利范围第36项之半导体装置,其中前述异方性导电材料的一部分为充填到申请专利范围第1项的前述弯曲部之前述应力吸收材料。38.如申请专利范围第35项之半导体装置,其中申请专利范围第1项的开口部,被形成在前述基板其前述半导体晶片的搭载领域内及搭载领域外的至少一者。39.如申请专利范围第35项之半导体装置,其中具有复数个半导体晶片;前述基板,一部分被弯曲,积叠前述复数个半导体晶片。40.如申请专利范围第35项之半导体装置,其中申请专利范围第1项之前述开口部,被形成在前述基板其前述半导体晶片的搭载领域外;前述基板一部分被弯曲,接着除了前述基板其前述半导体晶片的搭载领域以外之部分与前述半导体晶片。41.一种半导体装置,含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板之至少一个半导体晶片。42.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中前述半导体晶片,介由导电粒子分散在接着剂之异方性导电材料接合到前述基板。43.如申请专利范围第42项之半导体装置,其中前述异方性导电材料的一部分,充填到申请专利范围第1项的前述弯曲部。44.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中申请专利范围第11项之前述开口部,被形成在前述基板其前述半导体晶片的搭载领域内及搭载领域外的至少一者。45.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中具有复数个前述半导体晶片;前述基板,一部分被弯曲,积叠前述复数个半导体晶片。46.如申请专利范围第41项之半导体装置,其中申请专利范围第11项之前述开口部,被形成在前述基板其前述半导体晶片的搭载领域外;前述基板一部分被弯曲,接着除了前述基板其前述半导体晶片的搭载领域之部分与前述半导体晶片。47.一种半导体装置,系为含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的凹部侧上被装设有用来封止前述开口部的开口材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片。48.一种半导体装置,系为含有:具有形成有开口部的基板、和被形成于前述基板的其中一方的面上而从前述其中一方的面突出到前述开口部的上方而有弯曲的弯曲部之配线图案,在前述基板的前述开口部以及前述弯曲部的内部上,被充填有用来封止前述开口部的封止材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片。49.一种电路基板,用来搭载含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。50.一种电路基板,系用来搭载含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。51.一种电路基板,系用来搭载含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的凹部侧上被装设有用来封止前述开口部的开口材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。52.一种电路基板,系用来搭载含有:具有形成有开口部的基板、和被形成于前述基板的其中一方的面上而从前述其中一方的面突出到前述开口部的上方而有弯曲的弯曲部之配线图案,在前述基板的前述开口部以及前述弯曲部的内部上,被充填有用来封止前述开口部的封止材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。53.一种电子机器,系为具备:含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。54.一种电子机器,系为具备:含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的内部由应力吸收材料充填而成之配线基板;及搭载在前述配线基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。55.一种电子机器,系为具备:含有:具有形成有开口部的基板、和有弯曲部的配线图案,为使前述开口部和前述弯曲部平面性地重叠,而使前述配线图案被形成于前述基板的其中一方的面上,在前述弯曲部的凹部侧上被装设有用来封止前述开口部的开口材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。56.一种电子机器,系为具备:含有:具有形成有开口部的基板、和被形成于前述基板的其中一方的面上而从前述其中一方的面突出到前述开口部的上方而有弯曲的弯曲部之配线图案,在前述基板的前述开口部以及前述弯曲部的内部上,被充填有用来封止前述开口部的封止材所成之配线基板;及搭载在前述配线基板的前述基板之至少一个半导体晶片之半导体装置。57.一种配线基板之制造方法,系为含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,朝向他面的方向弯曲到前述开口部内而形成弯曲部之工程;及将应力吸收材料充填到前述弯曲部内之工程。58.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中以不使其从前述基板的前述他面突出之高度,形成前述弯曲部之制造方法。59.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中使其从前述基板的前述他面突出前述弯曲部,而形成突起部的配线基板之制造方法。60.如申请专利范围第59项的配线基板之制造方法,其中在形成前述弯曲部之工程,位置对准前述开口部后将前述基板的前述他面载置在对应于前述弯曲部的凹型上,从前述基板的前述一面,面对前述导电箔冲压对应于前述弯曲部的凸型的配线基板之制造方法。61.如申请专利范围第59项的配线基板之制造方法,其中含有在前述基板的前述他面设置比前述突起部的突出高度还厚的保护构件之工程的配线基板之制造方法。62.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中在前述基板与前述导电箔之间夹隔接着剂;将前述接着剂引进到前述开口部同时进行形成前述弯曲部之工程的配线基板之制造方法。63.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中在形成前述弯曲部之工程,断开先端部同时形成前述弯曲部的配线基板之制造方法。64.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中在形成前述弯曲部之工程,避开前述基板的表面,而使前述弯曲部的先端部成为终端的配线基板之制造方法。65.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中含有形成前述弯曲部之工程之后,图案处理前述导电箔而形成配线图案之工程的配线基板之制造方法。66.如申请专利范围第57项的配线基板之制造方法,其中含有:在前述基板贴着导电箔之工程,及图案处理前述导电箔而形成配线图案之工程;对作为前述配线图案之前述导电箔,进行形成前述弯曲部之工程的配线基板之制造方法。67.如申请专利范围第65项的配线基板之制造方法,其中进而含有形成前述配线图案后,在前述弯曲部的凸面施予镀金之工程的配线基板之制造方法。68.一种配线基板之制造方法,含有将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,使其从前述一面突出到前述开口部的上方经弯曲而形成弯曲部之工程的配线基板之制造方法。69.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中在前述基板与前述导电箔之间夹隔接着剂;将前述接着剂引进前述开口部同时进行形成前述弯曲部之工程的配线基板之制造方法。70.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中在形成前述弯曲部之工程,断开先端部同时形成前述弯曲部的配线基板之制造方法。71.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中在形成前弯曲部之工程,避开前述基板的表面,使前述弯曲部的先端部成为终端的配线基板之制造方法。72.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中含有:形成前述弯曲部之工程后,在以前述导电箔其前述弯曲部的凹面所形成之凹部充填树脂之工程的配线基板之制造方法。73.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中含有:形成前述弯曲部之工程之后,图案处理前述导电箔而形成配线图案之工程的配线基板之制造方法。74.如申请专利范围第68项的配线基板之制造方法,其中含有:将导电箔贴着在前述基板之工程,及图案处理前述导电箔而形成配线图案之工程;对作为前述配线图案之导电箔,进行形成前述弯曲部之工程的配线基板之制造方法。75.如申请专利范围第73项的配线基板之制造方法,其中进而含有:前述配线图案形成后,在前述弯曲部的凸面施予镀金的配线基板之制造方法。76.一种配线基板之制造方法,含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,朝向他面的方向弯曲到前述开口部内而形成弯曲部之工程,及将导电性物质设置在前述弯曲部的凹部侧之工程的配线基板之制造方法。77.如申请专利范围第76项的配线基板之制造方法,其中将前述导电性物质充填到前述弯曲部的内部的配线基板之制造方法。78.如申请专利范围第76项的配线基板之制造方法,其中在前述弯曲部的内部充填绝缘性物质;从前述绝缘性树脂上直到前述配线图案设置前述导电性物质的配线基板之制造方法。79.如申请专利范围第76项的配线基板之制造方法,其中前述弯曲部的内部为中空,从前述凹部上直到前述配线图案设置前述导电性物质。80.一种配线基板之制造方法,含有:使其从前述一面突出到前述开口部的上方,弯曲通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分而形成弯曲部之工程,及在前述基板的前述开口部及前述弯曲部的内部充填导电性物质之工程的配线基板之制造方法。81.一种连接基板之制造方法,系为连接在基板形成有配线图案而形成之复数个配线基板的连接基板之制造方法;至少具有:在前述复数个配线基板当中至少一个配线基板之前述配线图案形成弯曲部之工程;及连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案与前述弯曲部之工程的连接基板之制造方法。82.如申请专利范围第81项的连接基板之制造方法,其中形成前述弯曲部的前述配线基板之前述基板,形成有开口部;将前述弯曲部形成在与前述开口部平面地重叠之位置的连接基板之制造方法。83.如申请专利范围第82项的连接基板之制造方法,其中将形成有前述弯曲部之前述配线图案形成在前述基板的一面;从前述一面突出到前述开口部的上方,形成前述弯曲部的连接基板之制造方法。84.如申请专利范围第82项的连接基板之制造方法,其中将形成有前述弯曲部之前述配线图案形成在前述基板的一面;将前述弯曲部,朝向前述基板的他面形成在前述开口部内的连接基板之制造方法。85.如申请专利范围第81项的连接基板之制造方法,其中使其扩散各别的材料,而连接与形成前述弯曲部之前述配线基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部的连接基板之制造方法。86.如申请专利范围第81项的连接基板之制造方法,其中利用导电性构件,连接与形成前述弯曲部之前述基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部的连接基板之制造方法。87.一种连接基板之制造方法,系为连接在基板形成有配线图案而形成之复数个配线基板的连接基板之制造方法;针对前述复数个配线基板当中至少1个配线基板,在前述基板形成开口部;含有:在形成前述开口部的前述基板之前述配线图案,形成弯曲部使其与前述开口部平面地重叠之工程;及在前述弯曲部的凹部侧设置导电性物质之工程;及连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案和前述弯曲部之工程等的连接基板之制造方法。88.如申请专利范围第87项的连接基板之制造方法,其中将前述导电性物质充填到前述弯曲部的内部的连接基板之制造方法。89.如申请专利范围第87项的连接基板之制造方法,其中在前述弯曲部的内部充填绝缘性树脂;从前述绝缘性树脂上直到前述配线图案设置前述导电性物质的连接基板之制造方法。90.如申请专利范围第87项的连接基板之制造方法,其中前述弯曲部的内部为中空,从前述凹部上直到前述配线图案设置前述导电性物质。91.一种连接基板之制造方法,系为连接在基板形成有配线图案而形成之复数个配线基板的连接基板之制造方法;针对前述复数个配线基板当中至少一个配线基板,在前述基板形成开口部,前述配线图案被形成在前述基板的一面;含有:在形成有前述开口部的前述基板之前述配线图案,从前述一面突出到前述开口部的上方经弯曲而形成弯曲部之工程;及将导电性物质充填到前述基板之前述开口部及前述弯曲部的内部之工程;及连接与形成前述弯曲部之配线基板不同的配线基板之前述配线图案及前述弯曲部之工程等的连接基板之制造方法。92.一种半导体装置之制造方法,含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,朝向他面的方向弯曲到前述开口部内而形成弯曲部之工程;及将应力吸收材料充填到前述弯曲部内之工程;及在前述基板上搭载至少一个半导体晶片之工程的半导体装置之制造方法。93.如申请专利范围第92项的半导体装置之制造方法,其中在搭前述半导体晶片之工程,将前述半导体晶片,介由导电粒子分散在接着剂所形成之异方性导电材料,接合到前述基板的半导体装置之制造方法。94.如申请专利范围第92项的半导体装置之制造方法,其中复数个半导体晶片搭载在前述基板;前述基板为可挠性基板;弯曲前述基板的一部分,积叠前述复数个半导体晶片的半导体装置之制造方法。95.如申请专利范围第92项的半导体装置之制造方法,其中前述基板为可挠性基板;弯曲前述基板的一部分,将前述半导体晶片的上面贴着到前述基板的半导体装置之制造方法。96.一种半导体装置之制造方法,含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,从该面的方向弯曲突出到前述开口部上方而形成弯曲部之工程;及在前述基板上搭载至少一个半导体晶片之工程的半导体装置之制造方法。97.如申请专利范围第96项的半导体装置之制造方法,其中在搭载前述半导体晶片之工程,将前述半导体晶片,介由导电粒子分散在接着剂而形成之异方性导电材料,接合到前述基板的半导体装置之制造方法。98.如申请专利范围第96项的半导体装置之制造方法,其中复数个前述半导体晶片被载在前述基板;前述基板为可挠性基板;弯曲前述基板的一部分,积叠前述复数个晶片的半导体装置之制造方法。99.如申请专利范围第96项的半导体装置之制造方法,其中前述基板为可挠性基板;弯曲前述基板的一部分,将前述半导体晶片的上面贴着到前述基板的半导体装置之制造方法。100.一种半导体装置之制造方法,系为含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,朝向他面的方向弯曲到前述开口部内而形成弯曲部之工程;及将导电性物质装设在前述弯曲部的凹部侧上之工程;及在前述基板上搭载至少一个半导体晶片之工程的半导体装置之制造方法。101.一种半导体装置之制造方法,系为含有:将通过基板的开口部上形成在一面之导电箔的一部分,从该面的方向弯曲突出到前述开口部上方而形成弯曲部之工程;及将导电性物质充填在前述基板的前述开口部以及前述弯曲部内部之工程;及在前述基板上搭载至少一个半导体晶片之工程的半导体装置之制造方法。图式简单说明:第1图系为表示适用本发明的第1实施形态其配线基板之图。第2图系为表示适用本发明的第1实施形态其配线基板的变形例之图。第3图系为表示适用本发明的第1实施形态其配线基板的变形例之图。第4图系为表示适用本发明的实施形态其变形例之图。第5图系为表示制造适用本发明之配线基板的方法之图。第6图系为表示制造适用本发明之配线基板的方法之图。第7图系为表示适用本发明的第2实施形态其半导体装置之图。第8图系为表示适用本发明的第3实施形态其半导体装置之图。第9图系为表示适用本发明的第4实施形态其半导体装置之图。第10图系为表示适用本发明的第5实施形态其半导体装置之图。第11图系为表示适用本发明的第6实施形态其半导体装置之图。第12图系为表示适用本发明的第7实施形态其配线基板之图。第13图系为表示适用本发明的第8实施形态其半导体装置之图。第14图系为表示适用本发明的第9实施形态其半导体装置之图。第15图系为表示适用本发明的第10实施形态其半导体装置之图。第16图系为表示适用本发明的第11实施形态其半导体装置之图。第17图系为表示适用本发明的第12实施形态其半导体装置之图。第18图系为表示适用本发明的第13实施形态其半导体装置之图。第19图系为表示适用本发明的实施形态其变形例之图。第20图系为表示适用本发明的第14实施形态其配线基板之图。第21图系为表示适用本发明的第15实施形态其配线基板之图。第22图系为表示适用本发明的第16实施形态其配线基板之图。第23图系为表示适用本发明的第17实施形态其配线基板之图。第24图系为表示适用本发明的第18实施形态其半导体装置之图。第25图系为表示适用本发明的第19实施形态其半导体装置之图。第26图系为表示适用本发明的第20实施形态其连接基板之图。第27图系为表示适用本发明的第21实施形态其连接基板之图。第28图系为表示适用本发明的第22实施形态其连接基板之图。第29图系为表示适用本发明的第23实施形态其连接基板之图。第30图系为表示本实施形态的电路基板之图。第31图系为表示具备适用本发明的方法所制造的半导体装置之电子机器图。 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