| 主权项 |
1.一种避免一光学感测装置中之感测光线发生跨越干扰(cross talk)现象的方法,该光学感测装置系制作于一半导体晶片上,该半导体晶片上包含有一基底,复数个金属氧化半导体(metal-oxide semiconductor,MOS)电晶体感测器(sensor)设于该基底上,以及复数个绝缘物(insulator)分别设于任两MOS电晶体感测器间之该基底上,该方法包含有下列步骤:于该半导体晶片上形成一介电层,覆盖该MOS电晶体感测器以及该绝缘物;于该介电层内形成复数个浅沟,由该介电层表面通达至各该绝缘物表面;于该介电层表面、该浅沟内侧壁表面以及该浅沟内之底部表面形成一阻障层(barrier layer);于该阻障层表面形成一金属层,并填满该浅沟;以及进行一化学机械研磨(chemicalmechanical polishing, CMP)制程,去除该浅沟外之阻障层以及该金属层;其中该浅沟内之该金属层系用来阻挡该光学感测装置内之各该MOS电晶体感测器欲感测之光线发生跨越干扰(cross talk)现象。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该MOS电晶体感测器系为一互补式MOS电晶体(CMOS)感测器。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘物系为一场氧化层(field oxide, FOX)或一浅沟隔离(shallow trench isolation, STI)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该阻障层系由氮化钛(TiN)所构成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属层系由钛(Ti)金属所构成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该方法于该化学机械研磨制成后另包含有一形成一滤光(color filter)层之制程以及一形成聚光镜(U-lens)之制程。7.一种避免一光学感测装置中之感测光线发生跨越干扰(crcss talk)现象的方法,该光学感测装置系制作于一半导体晶片上,该半导体晶片上包含有一基底,复数个金属氧化半导体(MOS)电晶体感测器设于该基底上,以及复数个绝缘物分别设于任两MOS电晶体感测器间之该基底上,该方法包含有下列步骤:于该半导体晶片上形成一介电层,覆盖该MOS电晶体感测器以及该绝缘物;于该介电层内形成复数个浅沟,由该介电层表面通达至各该绝缘物表面;以及于该浅沟内形成形成一屏障层;其中该屏障层系用来阻挡该光学感测装置内之各该MOS电晶体感测器欲感测之光线发生跨越干扰(cross talk)现象。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该MOS电晶体感测器系为一互补式MOS电晶体(CMOS)感测器。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该绝缘物系为一场氧化层(field oxide, FOX)或一浅沟隔离(shallow trench isolation, STI)。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该屏障层系为一反射层,用来反射欲感测之光线以防止跨越干扰现象。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该屏障层系由钛(Ti)金属所构成。12.如申请专利范围第7项之方法,其中该屏障层系为一光吸收层,用来吸收欲感测之光线以防止跨越干扰现象。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该屏障层系由氮化钛(TiN)所构成。14.如申请专利范围第7项之方法,其中该方法于该化学机械研磨制成后另包含有一形成一滤光(color filter)层之制程以及一形成聚光镜(U-lens)之制程。图式简单说明:图一至图四为习知制作光学感测装置的方法示意图。图五至图十为本发明制作光学感测装置的方法示意图。 |
