| 主权项 |
1.一种在半导体制程中增加对准之精确性的制造方法,其步骤至少包含:提供一底材,该底材具有一节点区域于该底材内和一介电层形成于该底材上;及蚀刻部分该介电层,以暴露该节点区域;藉由利用具增强阶梯高度之该节点区域以增强讯号强度,改善对准之精确度。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中上述该底材更包含一元件区域。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中上述该节点区域是一对准记号。4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中上述该蚀刻部分该介电层,以暴露该节点区域之步骤更包含:形成一图案转移之光阻于该介电层上,该图案转移之光阻定义一开口于该节点区域上;以该图案转移之光阻为罩幕,蚀刻该部分介电层,以暴露该节点区域;及去除该图案转移之光阻。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中上述该介电层是氮氧化矽层。6.如申请专利范围第2项之制造方法,其中上述该方法更包含形成一彩色滤镜阵列于该元件区域之该介电层上。7.如申请专利范围第3项之制造方法,其中上述该节点区域是一前一制程之对准记号。8.一种在半导体制程中增加对准之精确性的制造方法,其步骤至少包含:提供一底材,该底材具有一对准记号于该底材内和一介电层形成于该底材上;形成一图案转移之光阻于该介电层上,该图案转移之光阻定义一开口于该对准记号上;及以该图案转移之光阻为罩幕,蚀刻部分该介电层,以暴露该节点区域;藉由利用具增强阶梯高度之该对准记号以增强讯号强度,改善对准之精确度。9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述该底材更包含一元件区域。10.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述该介电层是氮氧化矽层。11.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述该节点区域是一前一制程之对准记号。12.如申请专利范围第8项之制造方法,其中上述该蚀刻部分该介电层之步骤更包含去除该图案转移之光阻之步骤。13.如申请专利范围第1项之制造方法,其中上述该方法更包含形成一彩色滤镜阵列于该元件区域之该介电层上。14.一种在彩色滤镜阵列制程中增加对准之精确性的制造方法,其步骤至少包含:提供一底材,该底材具有一对准记号于该底材内和一介电层形成于该底材上且该底材更包含一元件区域;形成一图案转移之光阻于该介电层上,该图案转移之光阻定义一开口于该对准记号上;以该图案转移之光阻为罩幕,蚀刻部分该介电层,以暴露该节点区域;去除该图案转移之光阻;利用具增强阶梯高度之该对准记号于对准程序中,形成一彩色滤镜层于该元件区域之该介电层上;及重复该形成该彩色滤镜层之步骤,形成该彩色滤镜阵列于该元件区域之该介电层上。15.如申请专利范围第14项之制造方法,其中上述该对准记号是一金属层。16.如申请专利范围第14项之制造方法,其中上述该介电层是氮氧化矽层。17.如申请专利范围第14项之制造方法,其中上述该彩色滤镜阵列更包含一组主要颜色层,该颜色至少包含红色,绿色,和蓝色。18.如申请专利范围第15项之制造方法,其中上述该对准记号是一前一制程之金属层之对准记号。图式简单说明:第一图系传统形成彩色滤镜阵列之对准记号的对准过程的横切面图;第二A图系本发明形成彩色滤镜阵列时之增加阶梯高度的对准记号的制程,形成图案转移之光阻后之横切面图;第二B图系本发明形成彩色滤镜阵列之增加阶梯高度的对准记号的制程,形成增加阶梯高度的对准记号后之横切面图;及第三图系本发明形成彩色滤镜阵列时之增加阶梯高度的对准记号的对准过程的横切面图。 |
