| 主权项 |
1.一种用以制造一电晶体之方法,包含以下步骤:提供含矽-锗磊晶层之矽基体;在矽-锗磊晶层之通道区上形成掩蔽植入层;利用掩蔽植入层以限定邻近通道区之空间分隔源极与汲极,植入掺杂剂进入矽-锗磊晶层;在植入暴露通道区之后,清除掩蔽植入层;在暴露之通道区上形成矽磊晶层;转换至少一部份矽磊晶层为矽氧化物,以限定电晶体之闸介电层;在闸介电层上形成一导电闸。2.如申请专利范围第1项之方法,其中之转换步骤含,仅转换一部份矽磊晶层为矽氧化物,故一矽保护层保留在闸介电层与通道之间3.如申请专利范围第2项之方法,其中之矽保护层之厚度在0.5-2.5nm之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中转换步骤含将75-95%厚度之矽磊晶层转换为矽氧化物。5.如申请专利范围第1项之方法,其中之矽磊晶层之厚度为的0.5-3nm之范围。6.如申请专利范围第1项之方法,其中矽磊晶层中含约为30-60%重量之锗。7.如申请专利范围第1项之方法,其中尚含一步骤即在暴露之通道区形成矽磊晶层之前,将含矽-锗磊晶层之矽基体退火。8.如申请专利范围第1项之方法,其中之掩蔽植入层含多晶矽。9.如申请专利范围第1项之方法,其中形成矽磊晶层之步骤,在小于600℃温度下实施。10.如申请专利范围第1项之方法,其中转换步骤应用电浆改进之化学蒸气淀积(PECVD)实施。11.如申请专利范围第10项之方法,其中之PECVD系在小于600℃温度下实施。12.如申请专利范围第1项之方法,其中转换步骤系利用氧化在约5-25大气压力范围下实施。13.如申请专利范围第12项之方法,其中氧化系在小于700℃之温度下实施。14.一种用以制造一电晶体之方法,含以下步骤:在矽基体上之矽-锗磊晶层之通道区形成一掩蔽植入层;利用掩蔽植入层以限定邻近通道区之空间分离之源及汲极,以植入掺杂剂进入矽-锗磊晶层;在植入以暴露通道区之后,清除掩蔽植入层;在暴露之通道区形成一矽磊晶层;仅转换一部份矽磊晶层为矽氧化物,以限定电晶体之闸介电层,闸介电层含闸氧化物层及矽保护层于闸氧化物层与通道区之间。15.如申请专利范围第14项之方法,尚含一步骤,即在闸氧化物层上形成一导电闸。16.如申请专利范围第14项之方法,其中转换之步骤含,转换75-95%厚度之矽磊晶层为矽氧化物。17.如申请专利范围第14项之方法,其中之矽保护层之厚度为0.5-2.5nm之范围。18.如申请专利范围第14项之方法,其中之矽磊晶层之厚度为0.5-3nm之范围。19.如申请专利范围第14项之方法,其中之矽-锗磊晶层含30-60%之锗重量。20.如申请专利范围第14项之方法,尚含一步骤,即将在矽基体上之矽-锗磊晶层,在形成矽磊晶层于暴露之通道区之前退火。21.如申请专利范围第14项之方法,其中之掩蔽植入层含多晶矽。22.如申请专利范围第14项之方法,其中形成矽磊晶层之步骤系在小于600℃温度下实施。23.如申请专利范围第14项之方法,其中转换之步骤系利用电浆改进之化学蒸气淀积(PECVD)实施。24.如申请专利范围第23项之方法,其中之PECVD系在小于600℃下实施。25.如申请专利范围第14项之方法,其中转换步骤系利用氧化在大气压力5-25之范围下实施。26.如申请专利范围第25项之方法,其中之高压氧化系在小于700℃之温度下实施。27.一种用以制造一电晶体之方法,含以下步骤:提供一矽基体,包含一矽-锗磊晶层,该层含30-60%重量之锗;在矽-锗磊晶层之通道区上形成多晶矽层;利用多晶矽层以限定邻近通道区之空间分隔之原及汲极,以制入掺杂剂进入矽-锗磊晶层;在植入以暴露通道区之后,清除多晶矽层;形成一矽磊晶层于该曝露之通道区上;转换75-95%厚度之矽磊晶层为矽氧化物,以限定一闸氧化层,其余之矽磊晶层在闸氧化物与通道区之间形成一矽保护层;及在闸氧化物层上形成一导电层。28.如申请专利范围第27项之方法,其中之矽保护层有一0.5-2.5nm之厚度。29.如申请专利范围第27项之方法,其中之矽磊晶层之厚度为0.5-3nm之范围。30.如申请专利范围第27项之方法,尚包含,在暴露之通道区形成矽磊晶层之前,符合矽-锗磊晶层之矽基体退火之步骤。31.如申请专利范围第27项之方法,其中形成矽磊晶层之步骤在小于600℃温度下实施。32.如申请专利范围第27项之方法,其中转换之步骤系利用电浆改进化学蒸气淀积(PECVD)实施。33.如申请专利范围第32项之方法,其中之PECVD系在小于600℃温度下实施。34.如申请专利范围第27项之方法,其中转换之步骤系在大气压力5-25下利用氧化实施。35.如申请专利范围第34项之方法,其中之氧化系在小于700℃之温度下实施。36.一种矽-锗电晶体,包含:一矽基体含通道区于其中之矽-锗磊晶层,并具有一对空间分隔之源及汲极邻近通道区;在通道区上一闸介电层,该闸介电层含闸氧化物层及矽保护层于闸氧化物层与通道区之间;及一导电闸在闸氧化物层之上表面上。37.如申请专利范围第36项之矽-锗电晶体,其中该矽-锗磊晶层含30-60%重量之锗。38.如申请专利范围第36项之矽-锗电晶体,其中之矽保护层之厚度为0.5-2.5nm范围。图式简单说明:图1为流程图,说明本发明制造矽-锗电晶体之方法。图2-6为积体电路一部分之剖面图,说明本发明之处理步骤。图7为本发明之矽-锗电晶体之剖面图。 |
