| 主权项 |
1.一种连续之沈积制程,用以填充一基底上之复数个复晶矽闸极之间的间隙,该些复晶矽闸极侧壁上形成有氮化物间隙壁,且该些氮化物间隙壁、该些复晶矽闸极、与该基底上更形成有实质上共形的氮化物衬层(Nitride liner),该连续之沈积制程至少包含:以臭氧和四乙基矽酸盐(TEOS)为先导化学品组合(precursor)在该氮化物衬层上形成实质上共形的氧化物薄层;以及在该氧化物薄层形成之后,逐渐降低该先导化学品组合之臭氧/四乙基矽酸盐的比例,以形成氧化层填满该些间隙。2.如申请专利范围第1项所述之连续之沈积制程,其中该逐渐降低步骤系以减少臭氧浓度的方式来进行。3.如申请专利范围第2项所述之连续之沈积制程,其中该逐渐降低步骤持续约30秒。4.如申请专利范围第1项所述之连续之沈积制程,其中该些间隙内之该氮化物衬层上具有凹陷,而该氧化物薄层形成步骤系用以修补该些凹陷。5.如申请专利范围第4项所述之连续之沈积制程,其中该氧化物薄层的厚度足以修补该些凹陷。6.如申请专利范围第5项所述之连续之沈积制程,其中该氧化物薄层的厚度约为200埃至800埃。7.一种填充复数个间隙的方法,至少包含:以第一化学品和第二化学品为先导化学品组合(precursor)在该间隙中形成实质上共形的氧化物导层;以及在该氧化物薄层形成之后,逐渐降低该先导化学品组合之该第一化学品/该第二化学品的比例,以形成氧化层填满该些间隙。8.如申请专利范围第7项所述之填充复数个间隙的方法,其中该些间隙包括复晶矽闸极之间的间隙(IPD)。9.如申请专利范围第7项所述之填充复数个间隙的方法,其中该些间隙包括用以制作浅沟渠隔离的复数个浅沟渠。10.如申请专利范围第7项所述之填充复数个间隙的方法,其中该第一化学品包括臭氧。11.如申请专利范围第10项所述之填充复数个间隙的方法,其中该第二化学品包括四乙基矽酸盐(TEOS)。12.如申请专利范围第11项所述之填充复数个间隙的方法,其中该逐渐降低步骤系以减少臭氧浓度的方式来进行。13.如申请专利范围第12项所述之填充复数个间隙的方法,其中该逐渐降低步骤持续约30秒。14.如申请专利范围第7项所述之填充复数个间隙的方法,其中该些间隙轮廓上具有凹陷,而该氧化物薄层形成步骤系用以修补该些凹陷。15.如申请专利范围第14项所述之填立复数个间隙的方法,其中该氧化物薄层的厚度足以修补该些凹陷。16.如申请专利范围第15项所述之填充复数个间隙的方法,其中该氧化物薄层的厚度约为200埃至800埃。17.一种连续之沈积制程,用以填充一基底上之复数个复晶矽闸极之间的间隙,该些复晶矽闸极侧壁上形成有氮化物间隙壁,且该些氮化物间隙壁、该些复晶矽闸极、与该基底上更形成有实质上共形的氮化物衬层(Nitride liner),该连续之沈积制程至少包含:以臭氧和四乙基矽酸盐(TEOS)为先导化学品组合(precursor)在该氮化物衬层上形成厚度约为200埃至400埃的氧化物薄层;以及在该氧化物薄层形成之后,持续逐渐降低该先导化学品组合之臭氧/四乙基矽酸盐的比例约30秒钟,以形成氧化层填满该些间隙。图式简单说明:第1图绘示习知的一种间隙填充制程剖面示意图;第2图绘示在矽上的氧化物沈积速率,与在氮化物上的氧化物沈积速率比较示意图;第3图绘示一种具有凹陷(reentrant recess)的轮廓示意图;以及第4A图至第4C图绘示根据本发明较佳实施例,一种连续之沈积制程流程剖面示意图。 |
