| 主权项 |
1.一种掩罩缺陷之修正方法,系包含: (a)对于被形成连接在正常图案之由图案膜材料所 组成的凸缺陷领域,将从这个凸缺陷领域的外周部 起的预定距离的范围内设定为离子束照射领域的 步骤;和 (b)对于前述离子束照射领域照射集中离子束,以除 去前述图案膜材料的表面层的一部份,并残留下接 触于掩罩基板的前述图案膜材料以形成凸缺陷薄 膜的步骤;和 (c)藉由照射雷射光以除去前述凸缺陷薄膜的步骤 。2.如申请专利范围第1项之掩罩缺陷之修正方法, 其中前述从外周部起的预定距离系0.3nm-200nm。3.如 申请专利范围第1项之掩罩缺陷之修正方法,其中 前述从外周部起的预定距离系前述集中离子束的 直径的1/2的尺寸。4.如申请专利范围第1项之掩罩 缺陷之修正方法,其中在形成前述凸缺陷薄膜的步 骤中,位于前述正常图案与前述凸缺陷领域的交界 面处的前述图案膜材料系完全被除去。5.如申请 专利范围第1项之掩罩缺陷之修正方法,其中前述 凸缺陷薄膜具有不均匀的膜厚分布,其最大膜厚为 1nm-30nm。6.如申请专利范围第1项之掩罩缺陷之修 正方法,其中在藉由照射雷射光以除去前述凸缺陷 薄膜的步骤中,系将雷射光照射领域设定成不波及 前述正常图案的图案边缘。7.如申请专利范围第1 项之掩罩缺陷之修正方法,其中前述掩罩基板系石 英。8.如申请专利范围第7项之掩罩缺陷之修正方 法,其中前述图案膜材料系以铬为主成分的材料。 9.如申请专利范围第8项之掩罩缺陷之修正方法,其 中前述图案膜材料系含铬氧化物。10.如申请专利 范围第8项之掩罩缺陷之修正方法,其中前述形成 前述凸缺陷薄膜的步骤系使用:可对于前述以铬为 主成分的图案膜材料以及前述石英进行选择性蚀 刻的气体之气体辅助集中离子束蚀刻加工。11.如 申请专利范围第7项之掩罩缺陷之修正方法,其中 前述图案膜材料系以矽化钼为主成分的材料。12. 如申请专利范围第7项之掩罩缺陷之修正方法,其 中前述图案膜材料系以矽化钼化合物为主成分的 材料。13.如申请专利范围第7项之掩罩缺陷之修正 方法,其中前述图案膜材料系由:以矽化钼为主成 分的材料所成的第1图案膜;以及被形成在这个第1 图案膜上面的以铬为主成分的材料所成的第2图案 膜所构成的。14.如申请专利范围第13项之掩罩缺 陷之修正方法,其中形成前述凸缺陷薄膜的步骤系 藉由:使用可对于前述以铬为主成分的图案膜材料 以及前述石英进行选择性蚀刻的气体之气体辅助 集中离子束蚀刻加工,以对于前述第2图案膜进行 蚀刻,而将前述凸缺陷薄膜的上表面削平。15.如申 请专利范围第11项之掩罩缺陷之修正方法,其中前 述集中离子束系由镓离子所组成,前述凸缺陷薄膜 系自含镓矽化钼所形成的。16.如申请专利范围第 14项之掩罩缺陷之修正方法,其中紧接在于前述第2 图案膜的蚀刻之后,又利用前述集中离子束对于前 述第1图案膜进行蚀刻以形成前述凸缺陷薄膜。17. 如申请专利范围第16项之掩罩缺陷之修正方法,其 中前述集中离子束系由镓离子所组成,前述凸缺陷 薄膜系由含镓矽化钼所形成的。18.一种掩罩缺陷 之修正方法,系包含: (a)对于被形成连接在正常图案之由图案膜材料所 组成的凸缺陷领域,将从这个凸缺陷领域的外周部 起的预定距离的范围内设定为离子束照射领域的 步骤;和 (b)对于前述离子束照射领域照射由镓离子所组成 的集中离子束,以完全除去前述图案膜材料,并且 在于由石英所成的掩罩基板的前述凸缺陷领域的 表面形成含镓石英层的步骤;和 (c)除去前述含镓石英层的步骤。19.如申请专利范 围第18项之掩罩缺陷之修正方法,其中在形成前述 含镓石英层的步骤时,系在前述掩罩基板的表面形 成:相对于前述凸缺陷领域以外的领域具有360度相 位差的深度的石英挖入部。图式简单说明: 第1图系用来说明传统的掩罩图案缺陷的修正方法 的掩罩图案的平面图。 第2图系显示沿着第1图的I-I线的部分的影像强度 的特性图。 第3图的A,B系被使用于本发明的铬掩罩的凸缺陷的 修正方法的具有凸缺陷的铬掩罩的平面图及断面 图。 第4图A系用来说明本发明的第1实施例的铬掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的断面图。 第4图B系用来说明本发明的第1实施例的铬掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第4图C系用来说明本发明的第1实施例的铬掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面图。 第4图D系用来说明本发明的第1实施例的铬掩罩的 凸缺陷的修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第5图A系显示利用本发明的第1实施例修正过掩罩 后的掩罩图案曝光于晶圆上时的影像强度的特性 图。 第5图B系显示从第5图A的影像强度来计算出曝光余 裕度的10%时的制程窗口的特性图。 第6图的(a),(b)系显示使用于本发明的移相掩罩的 凸缺陷之修正方法之具有凸缺陷的移相掩罩的平 面图和断面图。 第7图A系用来说明本发明的第2实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第7图B系用来说明本发明的第2实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第7图C系用来说明本发明的第2实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图。 第7图D系用来说明本发明的第2实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第8图A系用来说明本发明的第3实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第8图B系用来说明本发明的第3实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第8图C系用来说明本发明的第3实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第9图A系用来说明本发明的第3实施例的变形例的 移相掩罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第9图B系用来说明本发明的第3实施例的变形例的 移相掩罩的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第10图A系显示使用于本发明的第4实施例的移相掩 罩的凸缺陷之修正方法之具有凸缺陷的移相掩罩 的平面图和断面图。 第10图B系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第10图C系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的平面图和断面图。 第10图D系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第10图E系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图和平面图。 第10图F系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 第10图G系用来说明本发明的第4实施例的移相掩罩 的凸缺陷之修正方法之掩罩的断面图。 |
