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1.一种将积体电路晶粒黏附到固定结构上的方法, 该方法的步骤包括: 在固定结构上施加黏着层; 将积体电路晶粒黏附到黏着层,其中积体电路晶粒 的厚度大约在0.0075 -0.0085寸,在积体电路晶粒接附 到黏着层之后,环氧树脂黏着层的厚度大约0.0012-0. 003寸;以及 将积体电路晶粒、黏着层及固定结构囊封到塑胶 中。2.如申请专利范围第1项的方法,其中,在积体 电路晶粒接附到黏着层之后,积体电路晶粒与固定 结构间,横跨重要部分区域之环氧树脂黏着层的厚 度大约0.0012-0.003寸。3.一种将积体电路晶粒黏附 到固定结构上的方法,该方法的步骤包括: 在固定结构上施加黏着层; 将积体电路晶粒黏附到黏着层,其中积体电路晶粒 的厚度大约在0.0075 -0.0085寸; 将积体电路晶粒、黏着层及固定结构囊封到塑胶 中;以及 硬化囊封的塑胶,其中,在黏着层及囊封硬化后,黏 着层的厚度大约 0.0005-0.0025寸。4.如申请专利范围第3项的方法,其 中,在黏着层及囊封硬化后,积体电路晶粒与固定 结构间横跨重要部分区域之黏着层的厚度大约0. 0005-0.0025寸。5.一种将积体电路晶粒黏附到固定结 构上的方法,其步骤包括在固定结构上施加黏着层 ,用以将积体电路晶粒耦合到固定结构,当施加时, 黏着层的厚度大约0.0012-0.003寸。6.如申请专利范 围第5项的方法,其中,当施加时,积体电路晶粒与固 定结构间横跨重要部分区域之黏着层的厚度大约0 .0012-0.003寸。7.一种减少积体电路晶粒破裂的方法 ,其步骤包括在固定结构上施加黏着层,用以将积 体电路晶粒与固定结构耦合,其中,在黏着层及囊 封硬化后,黏着层的厚度大约0.0005- 0.0025寸。8.如申请专利范围第7项的方法,其中,在 黏着层及囊封硬化后,积体电路晶粒与固定结构间 横跨重要部分区域之黏着层的厚度大约0.0005-0.0025 寸。9.一种塑胶囊封的积体电路,包括一积体电路 晶粒经由一黏着层与固定结构耦合,其中的增进包 括在施加黏着层时,将黏着层的厚度增加到大约0. 0012-0.003寸。10.如申请专利范围第9项的塑胶囊封 积体电路,其中,当施加时,积体电路晶粒与固定结 构间横跨重要部分区域之黏着层的厚度大约0.0012- 0.003寸。11.一种塑胶囊封的积体电路,包括一积体 电路晶粒经由一黏着层与固定结构耦合,其中的增 进包括在黏着层及囊封硬化后,黏着层的厚度增加 到大约0.0005-0.0025寸。12.如申请专利范围第11项的 塑胶囊封积体电路,其中,在黏着层及囊封硬化后, 积体电路晶粒与固定结构间横跨重要部分区域之 黏着层的厚度大约0.0005-0.0025寸。13.一种减少积体 电路晶粒破裂的方法,其步骤包括: 经由在固定结构上施加黏着层将积体电路晶粒与 固定结构耦合,且将积体电路晶粒定位于黏着层上 ;以及 将积体电路晶粒、黏着层及固定结构囊封到塑胶 中,构成一标准封装; 其中,积体电路晶粒的厚度大约 0.0075-0.012寸,以及,黏着层在施加时的厚度大约0. 0012-0.03寸。14.一种减少积体电路晶粒破裂的方法, 其步骤包括: 经由在固定结构上施加黏着层将积体电路晶粒与 固定结构耦合,且将积体电路晶粒定位于黏着层上 ;以及 将积体电路晶粒、黏着层及固定结构囊封到塑胶 中,构成一标准封装; 其中,积体电路晶粒的厚度大约 0.0075-0.012寸,以及,在黏着层及囊封硬化后,黏着层 的厚度大约0.0005 -0.0025寸。图式简单说明: 图1是塑胶囊封之积体电路的顶视剖面图。 图2是塑胶囊封之积体电路的侧视剖面图。 |
