LOW CAPACITANCE DIELECTRIC LAYER ETCHING USING HYDROGEN-NITROGEN PLASMA,申请号IL19990141379-传众专利搜索

发明名称	LOW CAPACITANCE DIELECTRIC LAYER ETCHING USING HYDROGEN-NITROGEN PLASMA
摘要
申请公布号	IL141379(D0)	申请公布日期	2002.03.10
申请号	IL19990141379	申请日期	1999.08.13
申请人	LAM RESEARCH CORPORATION	发明人
分类号	H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):H01L	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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