| 摘要 |
<p>사선형 활성영역 및 이를 둘러싸고 있는 소자분리영역을 포함하는 반도체기판의 상기 활성영역상에 워드라인을 형성하는 단계와, 상기 워드라인 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계, 및 상기 워드라인 측벽 스페이서들 사이에 노출되는 상기 활성영역의 기판 표면에 선택적 에피택셜 성장 방법으로 실리콘을 성장시켜 플러그를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 선택적 에피택셜 성장에 의한 플러그를 구비한 사선형 셀구조의 반도체 메모리장치 제조방법을 제공한다. SEG를 통해 플러그 공정을 행할 경우, 기존의 방식과 비교해 볼때 플러그용 마스크공정과 SAC식각을 하지 않으므로 오정렬이 없고, 콘택 영역의 축소가 발생하지 않으며, 플러그 물질로 증착된 폴리실리콘을 각 독립된 플러그로 절연하기 위한 CMP공정의 난제도 해결할 수 있는등 기술적인 문제들을 해결할 수 있다. 또한, 마스킹 공정, 식각, 폴리실리콘 증착, CMP등 플러그 형성과 관련된 일련의 공정을 SEG공정 한가지로 줄임으로써 제조 비용 절감에 큰 효과가 있다.</p> |
