| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé épitaxial en trois phases destiné à la préparation d'une couche mince d'oxyde à cristal unique, notamment une couche mince supra-conducteur à haute température de type (Y, Nd ou Pr) Ba2 Cu3 O7, utilisable comme dispositif supra-conductrice. Le procédé consiste à déposer une couche mince d'oxyde, de la même composition que celle d'un oxyde servant à former le cristal unique, sur un substrat servant de couche semence, à déposer sur cette couche semence une couche mince renfermant une substance capable d'être fondue en liquide par réchauffement du substrat et capable de faire fondre l'oxyde pour former le cristal unique. Le procédé consiste ensuite à déposer, via la couche liquide, l'oxyde pour former le cristal unique sur la couche semence, afin de former la couche mince d'oxyde à cristal unique par dépôt chimique en phase vapeur, la pression partielle de l'oxygène sur la phase liquide lors de l'étape de formation de la couche par dépôt en phase vapeur étant de 1,0 à 760 Torr.</p> |
