METHOD FOR IMPROVING THE EFFICIENCY OF EPITAXIALLY PRODUCED QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR COMPONENTS

摘要

Verfahren zur Verbesserung der Effizienz von epitaktisch gewachsenen Quantenpunkt-Halbleiterbauelementen mit einer oder mehreren Quantenpunktschichten. Halbleiterleiterbauelemente, deren aktives Medium aus Quantenpunkten besteht, liegen mit ihren Effizienzen oft signifikant unter den theoretisch möglichen Werten. Mit dem neuen Verfahren ist es möglich, ohne wesentliche Änderung der Wachstumsparameter der verschiedenen epitaktischen Schichten die Effizienz des betreffenden Bauelements deutlich zu steigern. Während einer Unterbrechung des Wachstums des Bauelements an derjenigen Stelle des Gesamtprozesses, an der die Quantenpunkte einer Schicht gerade bedeckt sind, wird der Kristall morphologisch derart verändert, dass sich die Effizienz des Bauelements verbessert. Gleichzeitig findet eine Glättung der Wachstumsfront statt. Dies führt beispielsweise zu einer Verringerung von Wellenleiterverlusten dadurch, dass die Dicke des Wellenleiters homogener wird, falls das betreffende Bauelement einen solchen besitzt. Gleichzeitig ermöglicht die Glättung der Wachstumsfront, Quantenpunktschichten mit geringerem Abstand als bisher zu stapeln und so den Volumenfüllfaktor zu erhöhen. Damit erhöht sich der modale Gewinn z.B. bei Lasern oder Verstärkern.